| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 三维PN结结构的概述 | 第10-20页 |
| ·三维PN结结构的形成 | 第10-12页 |
| ·半导体硅衬底上制作宏多孔硅 | 第10-12页 |
| ·三维PN结结构的形成 | 第12页 |
| ·三维PN结结构在核电池中的应用 | 第12-17页 |
| ·核电池的分类 | 第12-15页 |
| ·PN结结构在核电池中的应用 | 第15-16页 |
| ·核能电能转换研究状况 | 第16-17页 |
| ·三维PN结在X光探测器中的应用 | 第17-18页 |
| ·本文工作 | 第18-20页 |
| 第二章 三维PN结结构的制备工艺 | 第20-40页 |
| ·掩膜 | 第20-22页 |
| ·热氧化法生长SiO_2掩膜 | 第20-21页 |
| ·采用PECVD制备Si_3N_4掩膜 | 第21-22页 |
| ·光刻 | 第22-24页 |
| ·刻蚀 | 第24-36页 |
| ·干法刻蚀 | 第24页 |
| ·湿法刻蚀 | 第24-26页 |
| ·电化学刻蚀 | 第26-36页 |
| ·掺杂形成PN结 | 第36-38页 |
| ·离子注入法 | 第36-37页 |
| ·扩散法 | 第37-38页 |
| ·去除背面扩散层 | 第38页 |
| ·溅射金属铝形成电极 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 SIO_2掩膜的半导体硅上制作的三维PN结 | 第40-47页 |
| ·三维PN结结构的电学性能 | 第40-44页 |
| ·孔间距及孔深对三维PN结性能影响的模拟 | 第44-46页 |
| ·三维PN结结构模拟 | 第44-45页 |
| ·模拟孔距对三维PN结I-V特性的影响 | 第45-46页 |
| ·模拟孔深对三维PN结结构特性的影响 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 SI_3N_4掩膜的P型硅上制作三维PN结 | 第47-58页 |
| ·三维PN结结构的电学性能 | 第47-54页 |
| ·SiO_2和Si_3N_4掩膜P型硅上制备三维PN结结构的I-V,C-V特性 | 第47-49页 |
| ·相同的腐蚀电流电压、不同腐蚀时间制备三维PN结结构的I-V,C-V特性 | 第49-52页 |
| ·相同刻蚀电压和腐蚀时间、不同瘸蚀电流制备三维PN结的I-V,C-V特性 | 第52-54页 |
| ·三维PN结结构的SEM测试 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第64页 |
