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电子封装可靠性研究

中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-11页
第一章 前言第11-15页
第二章 电子封装可靠性研究概述第15-30页
 2.1 电子封装第16-21页
  2.1.1 芯片级互连第17页
  2.1.2 一级封装第17-19页
   2.1.2.1 针栅阵列封装第18页
   2.1.2.2 球栅阵列封装第18-19页
   2.1.2.3 芯片尺寸封装第19页
  2.1.3 二级封装第19-20页
  2.1.4 中国电子封装产业现状第20-21页
 2.2 电子封装可靠性概述第21-24页
  2.2.1 可靠性第21-22页
  2.2.2 电子封装可靠性第22-24页
 2.3 倒装焊技术第24-27页
 2.4 有限元方法第27-30页
第三章 电子封装倒装焊可靠性实验第30-42页
 3.1 引言第30-33页
 3.2 实验样品制备第33-35页
 3.3 热循环实验和高频超声显微镜检测第35-36页
 3.4 焊点状态的确定第36-39页
 3.5 分层裂缝扩展速率第39-41页
 3.6 本章小结第41-42页
第四章 电子封装倒装焊可靠性有限元模拟研究第42-55页
 4.1 引言第42页
 4.2 断裂力学及其在电子封装可靠性中的应用第42-47页
  4.2.1 断裂力学基础第42-43页
  4.2.2 裂纹的基本形式第43-44页
  4.2.3 裂纹扩展的判据第44页
  4.2.4 能量释放率判据第44-45页
  4.2.5 能量释放率计算方法第45-47页
   4.2.5.1 裂缝顶端开口位移方法第45-46页
   4.2.5.2 直接方法第46-47页
   4.2.5.3 J积分方法第47页
 4.3 有限元模拟研究第47-50页
  4.3.1 有限元模型和材料参数第47-49页
  4.3.2 模拟结果第49-50页
 4.4 Paris方程和讨论第50-54页
 4.5 本章小结第54-55页
第五章 J积分在电子封装倒装焊可靠性研究中的应用第55-65页
 5.1 引言第55-56页
 5.2 J积分计算第56-57页
 5.3 J积分判据第57-58页
 5.4 不同路径下的J积分计算第58-63页
  5.4.1 J积分方法计算能量释放率第59页
  5.4.2 多种不同扁平小矩形路径积分第59-62页
  5.4.3 对扁平小矩形J积分路径选取准则的建议第62-63页
  5.4.4 扁平小矩形J积分与能量释放率计算结果的比较第63页
 5.5 Paris方程第63-64页
 5.6 本章小结第64-65页
第六章 先进电子封装设计第65-85页
 6.1 引言第65-67页
 6.2 电子封装电学设计第67-75页
  6.2.1 电子封装电学设计的基本概念和一般方法第68-72页
  6.2.2 电子封装电学设计规范第72页
  6.2.3 电子封装电学测试第72页
  6.2.4 电子封装电学模拟第72-73页
  6.2.5 电子封装电学设计流程第73-75页
 6.3 电子封装热学设计第75-80页
  6.3.1 电子封装热学设计的基本概念和一般方法第75-76页
  6.3.2 电子封装热学设计规范第76-77页
  6.3.3 电子封装热学测试第77-78页
  6.3.4 电子封装热学模拟第78页
  6.3.5 电子封装热学设计流程第78-80页
 6.4 电子封装力学设计第80-84页
  6.4.1 电子封装力学设计的基本概念和一般方法第80-81页
  6.4.2 电子封装力学设计规范第81-82页
  6.4.3 电子封装力学测试第82页
  6.4.4 电子封装力学模拟第82-83页
  6.4.5 电子封装力学设计流程第83-84页
 6.5 本章小结第84-85页
第七章 电子封装设计工具研究第85-102页
 7.1 引言第85-86页
 7.2 有限元模拟第86-88页
 7.3 前处理第88-96页
  7.3.1 材料参数第88-91页
  7.3.2 参数化建模和网格划分第91-96页
 7.4 加载与求解第96-99页
 7.5 后处理第99-100页
 7.6 本章小结第100-102页
第八章 电子封装可靠性研究总结第102-104页
 8.1 论文总结第102-103页
 8.2 应用展望第103-104页
附录一 电子封装倒装焊界面分层ANSYS有限元模拟程序第104-109页
附录二 倒装焊界面分层ANSYS有限元模型产生程序第109-119页
附录三 计算J积分的ANSYS有限元程序第119-121页
参考文献第121-126页
发表文章目录第126-128页
致谢第128-129页
个人简历第129页

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