| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| ·硅微电子技术的发展与现状 | 第11-12页 |
| ·集成电路进一步发展将会遇到的问题 | 第12-14页 |
| ·可能的解决方案 | 第14-16页 |
| ·单电子学的研究综述 | 第16-20页 |
| ·单电子器件的加工技术 | 第16-18页 |
| ·单电子系统计算机数值模拟的研究 | 第18-20页 |
| ·论文的意义及主要工作 | 第20-21页 |
| 第2章 单电子理论和单电子器件简介 | 第21-43页 |
| ·单电子学基础 | 第21-28页 |
| ·单电子学基本概念 | 第21页 |
| ·添加能和充电能 | 第21-23页 |
| ·库伦阻塞效应 | 第23-26页 |
| ·隧穿结 | 第26-28页 |
| ·几种重要的单电子器件 | 第28-32页 |
| ·单电子盒(Single Electron Box) | 第28-29页 |
| ·单电子晶体管(Single Electron Transistor) | 第29-30页 |
| ·单电子存储器(Single Electron Memory) | 第30-32页 |
| ·单电子器件的应用 | 第32-36页 |
| ·单电子器件的制备和加工技术 | 第36-39页 |
| ·单电子器件与电路的数值模拟和仿真 | 第39-42页 |
| ·主方程法(Master Equation) | 第39-40页 |
| ·蒙特卡罗法(Monte Carlo ) | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第3章 基于压控单元的单电子晶体管宏模型 | 第43-60页 |
| ·纳米隧穿结 | 第44-48页 |
| ·纳米隧穿结的电子隧穿率Γ | 第44-47页 |
| ·纳米隧穿结的电路模型 | 第47-48页 |
| ·SET 的宏模型 | 第48-60页 |
| 第4章 浮栅型单电子存储器 | 第60-72页 |
| ·单电子存储器的阈值偏移 | 第64页 |
| ·单电子存储器的工作过程 | 第64-66页 |
| ·单电子存储器的结构和电容耦合模型 | 第66-67页 |
| ·浮栅型硅量子点单电子存储器电流-电压关系 | 第67-68页 |
| ·仿真结果和讨论 | 第68-71页 |
| ·小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第81页 |
