摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-35页 |
·纳米科学及纳米技术 | 第11-12页 |
·纳米材料 | 第12-15页 |
·纳米材料的概念及分类 | 第12页 |
·纳米材料的发展历史 | 第12-15页 |
·纳米材料的基本性质 | 第15-18页 |
·量子尺寸效应 | 第15-16页 |
·小尺寸效应 | 第16页 |
·表面效应 | 第16-17页 |
·宏观量子隧道效应 | 第17页 |
·介电限域效应 | 第17-18页 |
·纳米发光材料的发光特性 | 第18-20页 |
·与常规体材料相比所具有的新的发光现象 | 第18页 |
·光谱峰的蓝移或红移 | 第18-19页 |
·发光效率的提高和发光寿命的变化 | 第19页 |
·宽频带强吸收 | 第19-20页 |
·制备纳米材料的方法 | 第20-23页 |
·固相法 | 第20-21页 |
·液相法 | 第21-22页 |
·气相法 | 第22-23页 |
·半导体纳米材料 | 第23-30页 |
·半导体纳米粒子概述 | 第23-24页 |
·半导体纳米材料特性 | 第24-25页 |
·半导体纳米材料分类 | 第25-28页 |
·半导体纳米粒子的制备方法 | 第28-30页 |
·半导体纳米材料的应用及前景 | 第30-33页 |
·半导体纳米材料的研究热点 | 第30-31页 |
·半导体纳米粒子在生物医学上的应用 | 第31-32页 |
·半导体纳米粒子在光信息功能器件中的应用 | 第32-33页 |
·本论文主要研究的内容 | 第33-35页 |
第2章 半导体纳米粒子光致发光的基本原理及光学性质 | 第35-41页 |
·半导体发光分类 | 第35页 |
·光致发光基本原理 | 第35-36页 |
·半导体光致发光基本原理 | 第36-37页 |
·半导体纳米材料的光学性质 | 第37-41页 |
·紫外—可见(UV-vis)吸收光谱 | 第37-38页 |
·光致发光(PL)光谱 | 第38-41页 |
第3章 水热法制备CdSe纳米晶 | 第41-57页 |
·水热法反应原理 | 第41页 |
·水热发合成CdSe纳米晶 | 第41-43页 |
·实验仪器及装置 | 第41-42页 |
·化学反应原料 | 第42页 |
·水热法合成CdSe纳米晶反应原理 | 第42页 |
·实验步骤 | 第42-43页 |
·实验说明 | 第43页 |
·表征仪器与反应物配比及条件 | 第43-44页 |
·表征仪器 | 第43-44页 |
·反应物配比及条件 | 第44页 |
·水热法制备半导体纳米CdSe的表征与特性研究 | 第44-54页 |
·CdSe的X射线衍射分析(XRD) | 第44-46页 |
·紫外—可见(UV-vis)吸收光谱分析 | 第46-48页 |
·光致发光(PL)光谱分析 | 第48-51页 |
·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第51-54页 |
·稳定性分析 | 第54页 |
·实验反应机理分析 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
第4章 水热法制备CdS纳米棒 | 第57-71页 |
·水热发合成CdS纳米棒 | 第57-60页 |
·实验仪器及装置 | 第57页 |
·化学反应原料 | 第57-58页 |
·原料配比及反应条件 | 第58-59页 |
·水热法合成CdS纳米棒反应原理 | 第59页 |
·实验步骤 | 第59页 |
·实验说明 | 第59-60页 |
·表征仪器与条件 | 第60页 |
·单独用乙二胺做溶剂制备CdS纳米棒的表征与特性研究 | 第60-65页 |
·X射线衍射分析(XRD) | 第60-62页 |
·紫外—可见(UV-vis)吸收光谱分析 | 第62-63页 |
·光致发光(PL)光谱分析 | 第63-64页 |
·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第64-65页 |
·等体积乙二胺与水做溶剂制备CdS纳米棒的表征与特性研究 | 第65-68页 |
·X射线衍射分析(XRD) | 第65-66页 |
·紫外—可见(UV-vis)吸收光谱分析 | 第66页 |
·光致发光(PL)光谱分析 | 第66-67页 |
·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第67-68页 |
·CdS纳米棒的形成机理分析 | 第68-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
结论 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-77页 |
致谢 | 第77-79页 |
研究生履历 | 第79页 |