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Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的水热合成、表征及光学性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第1章 绪论第11-35页
   ·纳米科学及纳米技术第11-12页
   ·纳米材料第12-15页
     ·纳米材料的概念及分类第12页
     ·纳米材料的发展历史第12-15页
   ·纳米材料的基本性质第15-18页
     ·量子尺寸效应第15-16页
     ·小尺寸效应第16页
     ·表面效应第16-17页
     ·宏观量子隧道效应第17页
     ·介电限域效应第17-18页
   ·纳米发光材料的发光特性第18-20页
     ·与常规体材料相比所具有的新的发光现象第18页
     ·光谱峰的蓝移或红移第18-19页
     ·发光效率的提高和发光寿命的变化第19页
     ·宽频带强吸收第19-20页
   ·制备纳米材料的方法第20-23页
     ·固相法第20-21页
     ·液相法第21-22页
     ·气相法第22-23页
   ·半导体纳米材料第23-30页
     ·半导体纳米粒子概述第23-24页
     ·半导体纳米材料特性第24-25页
     ·半导体纳米材料分类第25-28页
     ·半导体纳米粒子的制备方法第28-30页
   ·半导体纳米材料的应用及前景第30-33页
     ·半导体纳米材料的研究热点第30-31页
     ·半导体纳米粒子在生物医学上的应用第31-32页
     ·半导体纳米粒子在光信息功能器件中的应用第32-33页
   ·本论文主要研究的内容第33-35页
第2章 半导体纳米粒子光致发光的基本原理及光学性质第35-41页
   ·半导体发光分类第35页
   ·光致发光基本原理第35-36页
   ·半导体光致发光基本原理第36-37页
   ·半导体纳米材料的光学性质第37-41页
     ·紫外—可见(UV-vis)吸收光谱第37-38页
     ·光致发光(PL)光谱第38-41页
第3章 水热法制备CdSe纳米晶第41-57页
   ·水热法反应原理第41页
   ·水热发合成CdSe纳米晶第41-43页
     ·实验仪器及装置第41-42页
     ·化学反应原料第42页
     ·水热法合成CdSe纳米晶反应原理第42页
     ·实验步骤第42-43页
     ·实验说明第43页
   ·表征仪器与反应物配比及条件第43-44页
     ·表征仪器第43-44页
     ·反应物配比及条件第44页
   ·水热法制备半导体纳米CdSe的表征与特性研究第44-54页
     ·CdSe的X射线衍射分析(XRD)第44-46页
     ·紫外—可见(UV-vis)吸收光谱分析第46-48页
     ·光致发光(PL)光谱分析第48-51页
     ·透射电子显微镜(TEM)分析第51-54页
     ·稳定性分析第54页
   ·实验反应机理分析第54-55页
   ·本章小结第55-57页
第4章 水热法制备CdS纳米棒第57-71页
   ·水热发合成CdS纳米棒第57-60页
     ·实验仪器及装置第57页
     ·化学反应原料第57-58页
     ·原料配比及反应条件第58-59页
     ·水热法合成CdS纳米棒反应原理第59页
     ·实验步骤第59页
     ·实验说明第59-60页
   ·表征仪器与条件第60页
   ·单独用乙二胺做溶剂制备CdS纳米棒的表征与特性研究第60-65页
     ·X射线衍射分析(XRD)第60-62页
     ·紫外—可见(UV-vis)吸收光谱分析第62-63页
     ·光致发光(PL)光谱分析第63-64页
     ·透射电子显微镜(TEM)分析第64-65页
   ·等体积乙二胺与水做溶剂制备CdS纳米棒的表征与特性研究第65-68页
     ·X射线衍射分析(XRD)第65-66页
     ·紫外—可见(UV-vis)吸收光谱分析第66页
     ·光致发光(PL)光谱分析第66-67页
     ·透射电子显微镜(TEM)分析第67-68页
   ·CdS纳米棒的形成机理分析第68-70页
   ·本章小结第70-71页
结论第71-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-79页
研究生履历第79页

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