| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| ·太阳能电池的发展历程及现状 | 第11-13页 |
| ·晶体硅太阳电池材料中的缺陷和杂质 | 第13-16页 |
| ·直拉单晶硅中的位错 | 第13-14页 |
| ·直拉单晶硅中的氧 | 第14页 |
| ·直拉单晶硅中的碳杂质 | 第14-15页 |
| ·直拉单晶硅中的氢杂质 | 第15页 |
| ·直拉单晶硅中的金属杂质和沉淀 | 第15-16页 |
| ·单晶硅中光致衰减的研究现状 | 第16-20页 |
| ·SiO_2陶瓷的烧结 | 第20-22页 |
| ·陶瓷烧结的相关知识 | 第20-21页 |
| ·SiO_2体系相图 | 第21-22页 |
| ·研究方法、内容和意义 | 第22-24页 |
| 第二章 正电子湮没技术原理 | 第24-34页 |
| ·概述 | 第24页 |
| ·正电子学的基本理论 | 第24-27页 |
| ·正电子及正电子湮没 | 第24-25页 |
| ·正电子湮没率和电子密度 | 第25-27页 |
| ·均匀电子气系统中的正电子湮没率 | 第25-27页 |
| ·非均匀电子系统中的正电子湮没率 | 第27页 |
| ·正电子实验方法 | 第27-34页 |
| ·正电子湮没寿命谱测量 | 第27-30页 |
| ·多普勒展宽能谱测量 | 第30-34页 |
| 第三章 单晶硅太阳电池 | 第34-46页 |
| ·太阳能电池的原理 | 第34-37页 |
| ·p-n结的能带结构 | 第34-35页 |
| ·光生伏特效应 | 第35-37页 |
| ·晶体硅太阳能电池 | 第37-40页 |
| ·晶体硅太阳能电池的结构 | 第37-38页 |
| ·晶体硅太阳能电池的等效电路 | 第38-39页 |
| ·晶体硅太阳电池的相关参数 | 第39-40页 |
| ·单晶硅太阳电池的制备 | 第40-46页 |
| ·高纯多晶硅的制备 | 第40-41页 |
| ·单晶硅的制备 | 第41-43页 |
| ·硅晶片的加工 | 第43-44页 |
| ·扩散制结 | 第44-45页 |
| ·氮化硅钝化与APCVD淀积TiO_2减反射层 | 第45页 |
| ·丝网印刷正背面电极浆料，共烧形成金属接触 | 第45-46页 |
| 第四章 单晶硅太阳电池效率与缺陷研究 | 第46-60页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·实验方法 | 第46-48页 |
| ·实验过程及结果讨论 | 第48-58页 |
| ·单晶硅太阳电池输出特性测试 | 第48-51页 |
| ·单晶硅太阳电池正电子辐照测试 | 第51-52页 |
| ·单晶硅太阳电池灯光辐照测试 | 第52-53页 |
| ·热处理对单晶硅太阳电池转换效率的影响 | 第53-55页 |
| ·灯光辐照-热处理两步处理过程的正电子湮没多普勒展宽谱 | 第55-58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 第五章 多孔SiO_2的正电子湮没研究 | 第60-69页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·实验过程 | 第61-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-67页 |
| ·正电子寿命谱研究 | 第62-65页 |
| ·符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱测试 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 第六章 总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 硕士期间完成论文情况 | 第78页 |