| 致谢 | 第1-6页 |
| <中文摘要> | 第6-8页 |
| <英文摘要> | 第8-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-22页 |
| ·宽带隙半导体及其应用 | 第10页 |
| ·Ⅲ-V化合物的特点及应用 | 第10-12页 |
| ·AlN的晶体结构 | 第12页 |
| ·AlN的材料特性及其应用 | 第12-15页 |
| ·已有的关于AlN制备及性能研究工作与进展 | 第15-18页 |
| ·本文的研究 | 第18-20页 |
| <参考文献> | 第20-22页 |
| 第二章 反应离子束溅射AlN薄膜 | 第22-55页 |
| ·RIBC沉积装置 | 第22页 |
| ·反应离子束溅射沉积AlN薄膜工艺过程及其特点 | 第22-24页 |
| ·反应离子束溅射AlN薄膜成分与结构分析 | 第24-44页 |
| ·反应离子束溅射AlN薄膜性能测试 | 第44-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| <参考文献> | 第53-55页 |
| 第三章 反应直流磁控溅射制备AlN薄膜 | 第55-72页 |
| ·直流磁控溅射装置 | 第55页 |
| ·工艺过程及其特点 | 第55-57页 |
| ·反应直流磁控溅射沉积AlN薄膜机理 | 第57-58页 |
| ·薄膜组分与结构分析 | 第58-69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| <参考文献> | 第71-72页 |
| 总结 | 第72-74页 |
| 发表文章目录 | 第74-75页 |
| 个人简历 | 第75页 |