| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| ·稀释磁性半导体的研究概况 | 第9-18页 |
| ·稀释磁性半导体的基本理论 | 第9-12页 |
| ·稀释磁性半导体的相互交换作用 | 第12-14页 |
| ·稀释磁性半导体的磁性来源 | 第14-15页 |
| ·稀释磁性半导体的物理性质 | 第15-17页 |
| ·稀释磁性半导体的应用前景 | 第17-18页 |
| ·In_2O_3基稀磁半导体的概述 | 第18-22页 |
| ·In_2O_3的结构 | 第18-19页 |
| ·In_2O_3基稀磁半导体的基本性质 | 第19-22页 |
| ·本论文研究的目的、意义和主要研究内容 | 第22-24页 |
| ·论文研究的目的和意义 | 第22-23页 |
| ·主要研究内容 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第2章 实验与测试 | 第25-37页 |
| ·高温固相法制备Fe、Cu共掺In_2O_3多晶块体 | 第25-27页 |
| ·高温固相烧结方法简介 | 第25-26页 |
| ·实验原料与设备 | 第26-27页 |
| ·样品的制备 | 第27页 |
| ·电子束真空蒸镀法制备Fe、Cu共掺In_2O_3薄膜 | 第27-29页 |
| ·电子束真空蒸镀方法简介 | 第27-28页 |
| ·实验原料与设备 | 第28页 |
| ·样品制备 | 第28-29页 |
| ·样品的表征 | 第29-36页 |
| ·晶体结构——X射线衍射法(XRD) | 第29-30页 |
| ·形貌和成分——扫描电镜(SEM)和X射线能谱分析仪(EDS) | 第30-32页 |
| ·膜厚——纳米台阶仪 | 第32-33页 |
| ·磁性能——振动样品磁强计(VSM) | 第33页 |
| ·电性能 | 第33-35页 |
| ·光性能——紫外-可见光谱仪 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 高温固相法制备(In_(0.9-x)Fe_(0.1)Cu_x)_2O_3块体的结构和性能 | 第37-44页 |
| ·晶块的结构和性能 | 第37-41页 |
| ·晶体结构 | 第38-39页 |
| ·磁性能 | 第39-40页 |
| ·成分 | 第40-41页 |
| ·Cu的作用及可能的磁性来源 | 第41-43页 |
| ·应用前景 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 电子束真空蒸镀制备(In_(0.9-x)Fe_(0.1)Cu_x)_2O_3薄膜的结构和性能 | 第44-61页 |
| ·工艺参数对样品结构和磁性能的影响 | 第44-55页 |
| ·基底温度 | 第45-47页 |
| ·氧氩流量比 | 第47-50页 |
| ·膜厚——蒸镀时间 | 第50-55页 |
| ·掺杂浓度 | 第55-60页 |
| ·晶体结构 | 第56页 |
| ·(In_(0.9-x)Fe_(0.1)Cu_x)_2O_3薄膜的磁性能 | 第56-58页 |
| ·(In_(0.9-x)Fe_(0.1)Cu_x)_2O_3薄膜的光性能 | 第58页 |
| ·实验结果与讨论 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61页 |
| ·研究工作的展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录 | 第67页 |
