Au/In等温凝固芯片焊接研究
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-26页 |
| §1．1 电子封装中的芯片焊接 | 第9-15页 |
| §1．2 等温凝固原理 | 第15-20页 |
| §1．3 金铟二元等温凝固体系 | 第20-26页 |
| 第二章 金铟等温凝固薄膜的设计和制作 | 第26-31页 |
| §2．1 金铟等混凝固薄膜的设计 | 第26-30页 |
| §2．1．1 衬底材料的选择 | 第26-28页 |
| §2．1．2 薄膜的厚度和在芯片、衬底上的分配 | 第28-30页 |
| §2．2 金铟等温凝固薄膜的制作 | 第30-31页 |
| 第三章 金铟等温凝固薄膜的焊接工艺和焊接参数优化 | 第31-48页 |
| §3．1 薄膜的焊接工艺 | 第31-32页 |
| §3．2 焊接质量的检测手段 | 第32-36页 |
| §3．3 焊接参数的优化 | 第36-47页 |
| §3．4 小结 | 第47-48页 |
| 第四章 金铟等混凝固薄膜焊接的微结构 | 第48-69页 |
| §4．1 铟层为6μm时焊接层的微结构 | 第48-59页 |
| §4．1．1 超声显微镜图像和微结构的关系 | 第48-51页 |
| §4．1．2 焊层微结构的金相分析 | 第51-55页 |
| §4．1．3 焊层微结构的形成机制 | 第55-59页 |
| §4．2 铟层为3μm时焊接层的微结构 | 第59-67页 |
| §4．3 关于金铟成分的讨论 | 第67-68页 |
| §4．4 小结 | 第68-69页 |
| 第五章 金铟等混凝固薄膜焊接的可靠性 | 第69-97页 |
| §5．1 铟层为6μm时焊接结构的可靠性 | 第69-74页 |
| §5．2 铟层为3μm时焊接结构的可靠性 | 第74-91页 |
| §5．2．1 剪切强度测试 | 第74-76页 |
| §5．2．2 热循环测试 | 第76-82页 |
| §5．2．3 热循环后焊层强度测试和微结构分析 | 第82-86页 |
| §5．2．4 高温稳定性测试 | 第86-89页 |
| §5．2．5 焊层再熔化温度测试 | 第89-91页 |
| §5．3 3×3mm2硅片的焊接与测试 | 第91-93页 |
| §5．4 关于本章结果的进一步讨论 | 第93-96页 |
| §5．5 小结 | 第96-97页 |
| 第六章 论文总结 | 第97-98页 |
| 附录一 硅片上铟沉积层的制备 | 第98-104页 |
| 附录二 焊接参数优化时样品的剪切强度值 | 第104-106页 |
| 附录三 工业划片时的焊接情况 | 第106-107页 |
| 文献索引 | 第107-111页 |
| 文章发表 | 第111-112页 |
| 作者简历 | 第112页 |
