| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要（Abstract） | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-26页 |
| 1．1 有源矩阵液晶显示（AMLCD） | 第9-10页 |
| 1．2 AMLCD的分类及特点 | 第10-14页 |
| 1．2．1 二端子元件 | 第11页 |
| 1．2．2 三端子元件 | 第11-14页 |
| 1．3 TFT AMLCD | 第14-20页 |
| 1．3．1 TFT彩色液晶模块结构 | 第15页 |
| 1．3．2 TFT矩阵寻址液晶显示屏的工作原理 | 第15-17页 |
| 1．3．3 TFT器件结构 | 第17-18页 |
| 1．3．4 TFT器件的工作原理 | 第18-20页 |
| 1．4 TFT LCD技术的发展 | 第20-22页 |
| 1．4．1 TFT性能的改进 | 第20-22页 |
| 1．4．2 新技术的发展 | 第22页 |
| 1．5 本论文研究的主要内容和意义 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第二章 a-Si TFT-LCD优化设计 | 第26-51页 |
| 2．1 引言 | 第26-27页 |
| 2．2 a-Si：H TFT器件特性 | 第27-31页 |
| 2．2．1 a-Si：H TFT器件的静态特性 | 第27页 |
| 2．2．2 a-Si：H TFT器件的开态特性 | 第27-28页 |
| 2．2．3 a-Si：H TFT器件的关态特性 | 第28-29页 |
| 2．2．4 a-Si：H TFT器件的动态特性 | 第29-31页 |
| 2．3 a-Si：H TFT结构参数的选择 | 第31-33页 |
| 2．3．1 栅电极厚度的确定 | 第31页 |
| 2．3．2 栅绝缘层与有源层厚度设计 | 第31-32页 |
| 2．3．3 TFT沟道宽长比的选择 | 第32页 |
| 2．3．4 TFT栅与源交迭量的选取 | 第32-33页 |
| 2．4 TFT-LCD的驱动特性 | 第33-37页 |
| 2．4．1 有源矩阵LCD的驱动方法 | 第33页 |
| 2．4．2 TFT-LCD的基本驱动方式 | 第33-34页 |
| 2．4．3 驱动方法 | 第34页 |
| 2．4．4 a-Si TFT-LCD显示单元的等效电路 | 第34-37页 |
| 2．5 TFT单元像素设计 | 第37-42页 |
| 2．5．1 栅线宽（W_g）、信号线宽度（W_s）以及信号线与像素间距（D_（sp））的选择 | 第37-38页 |
| 2．5．2 电极引线材料参数设计 | 第38-39页 |
| 2．5．3 存储电容（Cs）的选取 | 第39-42页 |
| 2．6 a-Si TFT-LCD阵列优化设计 | 第42-48页 |
| 2．6．1 TFT阵列的生成 | 第42页 |
| 2．6．2 黑矩阵（BM）的设计 | 第42-44页 |
| 2．6．3 a-Si TFT-LCD的设计指标和阵列版图 | 第44-46页 |
| 2．6．4 TFT阵列设计的评价和改善措施 | 第46-48页 |
| 2．7 整机的设计和组装 | 第48-50页 |
| 2．7．1 TFT阵列基板整体布局设计 | 第48-49页 |
| 2．7．2 液晶盒的制作 | 第49页 |
| 2．7．3 引线 | 第49-50页 |
| 2．8 小结 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第三章 a-Si TFT器件制作工艺与材料的优化 | 第51-72页 |
| 3．1 引言 | 第51页 |
| 3．2 a-Si：H TFT器件结构的制备工艺 | 第51-53页 |
| 3．3 高质量非晶硅（a-Si：H）薄膜的优化制备 | 第53-58页 |
| 3．3．1 a-Si：H膜的生长机理 | 第53-54页 |
| 3．3．2． a-Si：H薄膜的淀积过程 | 第54-56页 |
| 3．3．3 淀积参数与薄膜特性 | 第56-58页 |
| 3．4 优质绝缘层Ta_2O_5和a-SiN_x:H的制备 | 第58-69页 |
| 3．4．1 Ta_2O_5薄膜的制备 | 第58-60页 |
| 3．4．2 SiN_x薄膜淀积条件的优化 | 第60-61页 |
| 3．4．3 气体流量比对a-SiN_x:H薄膜电学特性的影响 | 第61-64页 |
| 3．4．4 绝缘膜的性能测试 | 第64-65页 |
| 3．4．5 Ta/Ta_2O_5/SiN_x/Cr系统对矩阵性能的改善 | 第65页 |
| 3．4．6 淀积条件对a-SiN_x:H薄膜中含氢基团的影响 | 第65-69页 |
| 3．5 高性能a-Si TFT单管器件的制备 | 第69-70页 |
| 3．6 小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第四章 低温p-Si薄膜的制备研究 | 第72-115页 |
| 4．1 引言 | 第72-73页 |
| 4．2 金属诱导法制备多晶硅薄膜 | 第73-83页 |
| 4．2．1 实验 | 第73页 |
| 4．2．2 结果与讨论 | 第73-79页 |
| 4．2．3 金属诱导晶化机理讨论 | 第79-81页 |
| 4．2．4 p-Si TFT的制作与I-V特性 | 第81-83页 |
| 4．3 在电场作用下的金属诱导 | 第83-90页 |
| 4．3．1 实验部分 | 第83-84页 |
| 4．3．2 结果与讨论 | 第84-89页 |
| 4．3．3 在电场下晶化温度降低的机理 | 第89-90页 |
| 4．4 激光退火制备多晶硅 | 第90-107页 |
| 4．4．1 退火机理的探讨 | 第90-94页 |
| 4．4．2 激光退火工艺条件 | 第94-106页 |
| 4．4．3 红外分析 | 第106-107页 |
| 4．5 p-Si的霍尔迁移率测量 | 第107-112页 |
| 4．5．1 霍尔迁移率的测试原理 | 第107-109页 |
| 4．5．2 实验结果与讨论 | 第109-112页 |
| 4．6 小结 | 第112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第五章 p-Si TFT的电学特性研究和器件模拟 | 第115-138页 |
| 5．1 引言 | 第115页 |
| 5．2 多晶硅的导电模型 | 第115-120页 |
| 5．3 p-Si TFT的I-V特性 | 第120-127页 |
| 5．3．1 p-Si TFT得I-V模型 | 第121-124页 |
| 5．3．2 实验结果和讨论 | 第124-127页 |
| 5．4 周边集成AMLCDs的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算 | 第127-136页 |
| 5．4．1 TFT模拟 | 第127-129页 |
| 5．4．2 栅延迟模拟 | 第129-132页 |
| 5．4．3 计算结果和讨论 | 第132-136页 |
| 5．5 小节 | 第136页 |
| 参考文献 | 第136-138页 |
| 第六章 准分子激光退火系统的设计 | 第138-147页 |
| 6．1 准分子激光退火系统的结构 | 第138-139页 |
| 6．2 准分子激光退火系统的设计思想和指标 | 第139-146页 |
| 6．2．1 准分子激光器 | 第139-140页 |
| 6．2．2 匀光系统的设计 | 第140-142页 |
| 6．2．3 真空系统的设计和指标 | 第142-146页 |
| 6．3 小节 | 第146页 |
| 参考文献 | 第146-147页 |
| 第七章 结论 | 第147-150页 |
| 附录 | 第150页 |
| 作者简介 | 第150页 |
| 发表的主要学术论文 | 第150-152页 |
| 致谢 | 第152页 |
