| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·透明导电氧化物(TCO)薄膜概述 | 第11-14页 |
| ·SnO_2薄膜的特性 | 第12-13页 |
| ·ZnO薄膜的特性 | 第13-14页 |
| ·TCO薄膜的P型掺杂 | 第14-19页 |
| ·P型薄膜掺杂机理和影响因素 | 第14-15页 |
| ·P型TCO薄膜的发展现状 | 第15-16页 |
| ·P型SnO_2薄膜的掺杂 | 第16-19页 |
| ·P型SnO_2薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| ·喷雾热分解法 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射法 | 第20页 |
| ·溶液法 | 第20-21页 |
| ·P型SnO_2薄膜的应用 | 第21页 |
| ·PN结的基础理论 | 第21-26页 |
| ·金属和半导体的欧姆接触 | 第23页 |
| ·PN结的应用 | 第23-26页 |
| ·本文研究的目的、总体思路和内容 | 第26-27页 |
| 第2章 SnO_2基薄膜的磁控溅射法制备及其表征 | 第27-35页 |
| ·实验部分 | 第27-30页 |
| ·金属和陶瓷靶材的制备 | 第27-29页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第29页 |
| ·薄膜的制备 | 第29页 |
| ·溅射成膜的影响因素 | 第29-30页 |
| ·薄膜的热处理 | 第30页 |
| ·SnO_2薄膜结构和性能表征 | 第30-35页 |
| ·薄膜晶体结构的表征 | 第30-31页 |
| ·薄膜表面形貌、成分分析和膜厚的测试 | 第31页 |
| ·薄膜光学性能的测试 | 第31-32页 |
| ·薄膜电学性能的测试 | 第32-35页 |
| 第3章 石英基片上P型ATO薄膜的制备与性能研究 | 第35-49页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·石英玻璃基片上Sb掺杂SnO_2薄膜的制备及物性研究 | 第36-48页 |
| ·Sb掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第36页 |
| ·ATO薄膜的电学性能 | 第36-38页 |
| ·ATO薄膜的结构和表面形貌分析 | 第38-40页 |
| ·ATO薄膜的组分与成分分析 | 第40-45页 |
| ·ATO薄膜的光学特性分析 | 第45-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第4章 单晶硅上P型ATO薄膜的制备及性能研究 | 第49-67页 |
| ·硅基片与SnO_2的匹配分析 | 第49-50页 |
| ·晶格失配度的定义 | 第49-50页 |
| ·晶格失配度的计算值 | 第50页 |
| ·单晶硅上Sb掺杂SnO_2薄膜的制备及性能研究 | 第50-65页 |
| ·Sb掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第50页 |
| ·ATO薄膜的霍尔电学测试分析 | 第50-52页 |
| ·ATO薄膜的结构和形貌分析 | 第52-57页 |
| ·ATO薄膜的组分与成分分析 | 第57-64页 |
| ·ATO薄膜的光学特性 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第5章 P型SnO_2:Zn透明导电薄膜的制备与表征 | 第67-80页 |
| ·采用陶瓷靶材制备Zn掺杂SnO_2薄膜及其性能研究 | 第67-73页 |
| ·Zn掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第67页 |
| ·薄膜的霍尔电学测试结果分析 | 第67-69页 |
| ·薄膜的XRD测试分析 | 第69-70页 |
| ·薄膜紫外可见光光谱分析 | 第70-71页 |
| ·薄膜的EDS面分析与线分析 | 第71-73页 |
| ·采用金属与陶瓷靶材制备SnO_2:Zn薄膜及其性能研究 | 第73-78页 |
| ·Zn/SnO_2/Zn薄膜的制备 | 第73-74页 |
| ·薄膜的霍尔电学测试分析 | 第74-75页 |
| ·薄膜的紫外可见光光谱分析 | 第75-76页 |
| ·薄膜的XRD测试分析 | 第76页 |
| ·薄膜的EDS面分析与线分析 | 第76-78页 |
| ·小结 | 第78-80页 |
| 第6章 p-SnO_2基同质结和异质结的研究 | 第80-100页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·在石英玻璃和单晶硅基片上的p-ATO/n-ATO同质结 | 第81-88页 |
| ·p-ATO/n-ATO同质结的制备 | 第81-82页 |
| ·p-ATO/n-ATO同质结的光学特性 | 第82-84页 |
| ·p-ATO/n-ATO同质结的电学特性 | 第84-88页 |
| ·单晶硅基片与p-ATO组成的n-Si(100)/P-ATO异质结 | 第88-91页 |
| ·n-Si(100)/p-ATO异质结的制备 | 第88-89页 |
| ·n-Si(100)/p-ATO异质结的电学特性 | 第89-91页 |
| ·石英玻璃基片上的p-ATO/n-AZO异质结 | 第91-93页 |
| ·p-ATO/n-AZO异质结的制备 | 第91-92页 |
| ·p-ATO/n-AZO异质结的电学特性 | 第92-93页 |
| ·p-ATO/i-SnO_2/n-ATO与p-ATO/i-ZnO/n-ATO异质结 | 第93-96页 |
| ·p-ATO/i-SnO_2/n-ATO与p-ATO/i-ZnO/n-ATO异质结的制备 | 第93-94页 |
| ·p-ATO/i-SnO_2/n-ATO和p-ATO/i-ZnO/n-ATO异质结的电学特性 | 第94-96页 |
| ·石英玻璃基片上的p-SnO_2:Zn/n-ATO同质结 | 第96-98页 |
| ·石英玻璃基片上p-SnO_2:Zn/n-ATO同质结的制备 | 第96-97页 |
| ·p-SnO_2:Zn/n-SnO_2:Sb同质结的电学特性 | 第97-98页 |
| ·用于太阳能电池的探索研究 | 第98-99页 |
| ·p-ATO/n-Si异质结组成的太阳能电池I-V曲线分析 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第7章 结论与展望 | 第100-102页 |
| ·结论 | 第100-101页 |
| ·展望 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-109页 |
| 发表和待发表文章目录 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
