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InGaAs/InP PIN光探测器的激光微细加工制作

中文摘要第1-5页
前言第5-8页
第一章 半导体光电探测器第8-15页
 1.1 常见的半导体光电探测器第8-11页
 1.2 光电探测器的特性第11-13页
 1.3 光电探测器的材料和结构第13-15页
第二章 激光微细加工技术第15-18页
第三章 曝光区温度的不接触测量第18-23页
 3.1 辐射测温法进行温度不接触测量第18-19页
 3.2 非接触测温装置与原理第19-23页
第四章 激光诱导扩散第23-31页
 4.1 扩散的基本原理第23-25页
 4.2 激光诱导扩散概述第25-26页
 4.3 激光诱导扩散的实验工艺第26-28页
 4.4 激光诱导扩散的实验结果与讨论第28-31页
第五章 激光辅助合金第31-46页
 5.1 金属-半导体欧姆接触理论第31-37页
 5.2 激光辅助合金概述第37-38页
 5.3 欧姆接触的检测第38-39页
 5.4 CW CO_2激光对基片的加热分析第39页
 5.5 激光辅助合金的实验工艺第39-41页
 5.6 激光辅助合金的实验结果与讨论第41-46页
第六章 激光微细加工制作光探测器的工艺与结果第46-50页
 6.1 激光微细加工制作光探测器的工艺第46-49页
 6.2 结果与讨论第49-50页
第七章 结论第50-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-54页
附录一 InGaAs/InP PIN光探测器样品照片第54-55页
附录二 InGaAs/InP PIN光探测器部分性能测试报告第55页

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