中文摘要 | 第1-5页 |
前言 | 第5-8页 |
第一章 半导体光电探测器 | 第8-15页 |
1.1 常见的半导体光电探测器 | 第8-11页 |
1.2 光电探测器的特性 | 第11-13页 |
1.3 光电探测器的材料和结构 | 第13-15页 |
第二章 激光微细加工技术 | 第15-18页 |
第三章 曝光区温度的不接触测量 | 第18-23页 |
3.1 辐射测温法进行温度不接触测量 | 第18-19页 |
3.2 非接触测温装置与原理 | 第19-23页 |
第四章 激光诱导扩散 | 第23-31页 |
4.1 扩散的基本原理 | 第23-25页 |
4.2 激光诱导扩散概述 | 第25-26页 |
4.3 激光诱导扩散的实验工艺 | 第26-28页 |
4.4 激光诱导扩散的实验结果与讨论 | 第28-31页 |
第五章 激光辅助合金 | 第31-46页 |
5.1 金属-半导体欧姆接触理论 | 第31-37页 |
5.2 激光辅助合金概述 | 第37-38页 |
5.3 欧姆接触的检测 | 第38-39页 |
5.4 CW CO_2激光对基片的加热分析 | 第39页 |
5.5 激光辅助合金的实验工艺 | 第39-41页 |
5.6 激光辅助合金的实验结果与讨论 | 第41-46页 |
第六章 激光微细加工制作光探测器的工艺与结果 | 第46-50页 |
6.1 激光微细加工制作光探测器的工艺 | 第46-49页 |
6.2 结果与讨论 | 第49-50页 |
第七章 结论 | 第50-51页 |
致谢 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-54页 |
附录一 InGaAs/InP PIN光探测器样品照片 | 第54-55页 |
附录二 InGaAs/InP PIN光探测器部分性能测试报告 | 第55页 |