| 中文摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号表 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·多晶GAN薄膜研究背景和意义 | 第13-14页 |
| ·多晶GAN材料与器件的研究现状 | 第14-15页 |
| ·本论文的工作及主要内容 | 第15-16页 |
| 参考文献: | 第16-21页 |
| 第二章 样品的制备和测试方法 | 第21-28页 |
| ·实验原理与实验设备 | 第21-23页 |
| ·金属有机物化学气相淀积(MOCVD) | 第21-22页 |
| ·高温高真空MOCVD仪器设备 | 第22-23页 |
| ·样品的制备 | 第23-24页 |
| ·衬底的选择与预处理 | 第23页 |
| ·多晶GaN薄膜的制备 | 第23-24页 |
| ·测试方法 | 第24-27页 |
| 参考文献: | 第27-28页 |
| 第三章 多晶GAN薄膜的结构特性研究与表面形貌 | 第28-43页 |
| ·多晶GAN薄膜的结构特性 | 第28-36页 |
| ·流量比对多晶GaN薄膜结构性质的影响 | 第28-30页 |
| ·反应室压强对多晶GaN薄膜结构性质的影响 | 第30-31页 |
| ·反应温度对多晶GaN薄膜结构性质的影响 | 第31-33页 |
| ·不同衬底上的多晶GaN薄膜结构性质 | 第33-34页 |
| ·退火工艺对多晶GaN薄膜结构性质的影响 | 第34-36页 |
| ·SI(111)衬底上的多晶GAN薄膜的成分研究 | 第36-39页 |
| ·SI(111)与蓝宝石衬底上多晶GAN薄膜的表面形貌 | 第39-42页 |
| 参考文献: | 第42-43页 |
| 第四章 多晶GAN薄膜的电学特性研究 | 第43-53页 |
| ·多晶GAN薄膜的霍耳测试 | 第43-46页 |
| ·不同生长条件下多晶GAN薄膜的载流子浓度 | 第46-48页 |
| ·不同生长条件下多晶GAN薄膜的载流子迁移率 | 第48-50页 |
| ·退火工艺对多晶GAN薄膜电学性质的影响 | 第50-52页 |
| 参考文献: | 第52-53页 |
| 第五章 多晶GAN薄膜的光学性质研究 | 第53-63页 |
| ·流量比对多晶GAN薄膜发光性质的影响 | 第53-55页 |
| ·反应压强对多晶GAN薄膜发光性质的影响 | 第55-56页 |
| ·衬底对多晶GAN薄膜发光性质的影响 | 第56-57页 |
| ·退火工艺对多晶GAN薄膜发光性质的影响 | 第57-58页 |
| ·测试温度对多晶GAN薄膜发光性质的影响 | 第58-61页 |
| 参考文献: | 第61-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第66页 |