| 致谢 | 第1-4页 |
| <中文摘要> | 第4-5页 |
| <中文关键词> | 第4-5页 |
| <英文摘要> | 第5页 |
| <英文关键词> | 第5-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-26页 |
| 第二章 突变异质结HBT中的电流特性的模拟计算 | 第26-55页 |
| ·热场发射──扩散模型 | 第26-32页 |
| ·费米统计律下的载流子分布的计算 | 第32-38页 |
| ·HBT电流特性及复合电流研究 | 第38-40页 |
| ·InGaP/GaAs HBT器件结构参数对HBT器件电流特性的影响 | 第40-46页 |
| ·δ掺杂结构HBT模型 | 第46-55页 |
| 第三章 HBT用Ⅲ—V族化合物半导体材料GSMBE生长与材料特性 | 第55-71页 |
| ·GSMBE系统简介 | 第55-58页 |
| ·GSMBE材料生长原理 | 第58-61页 |
| ·GaAs、InP材料的GSMBE生长及特性 | 第61-64页 |
| ·GaAs基HBT结构材料的GSMBE生长 | 第64-71页 |
| 第四章 InGaP/GaAs HBT器件工艺与器件测量 | 第71-77页 |
| 主要结论 | 第77-79页 |
| <参考文献> | 第79-83页 |
| 发表论文目录 | 第83-84页 |
| 个人简历 | 第84页 |