当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
基于MoO3居间层有机半导体器件的界面电子结构研究
单槽法制备多孔硅及其发光性能研究
双光束激光干涉纳米光刻设备研发
激光辐照及退火处理对氧化锌薄膜可见光发光性能调控的研究
低维纳米器件及应用
有机半导体界面载流子复合机制研究
被动补偿系统动态特性研究
四元合金GaAsBiN电子和光学性质的第一性原理研究
P-型Cu3Ga5Te9基半导体材料的结构及热电性能研究
Ge/InxGa1-xAs异质结发光特性研究
聚焦离子束/电子束技术在三维纳米器件加工中的应用
面向半导体显示器制造企业的设备安全管理方法研究
Si图形化衬底研究及其在3C-SiC生长上的应用
3C-SiC薄膜剥离技术及其表面钝化研究
ZnO基发光器件的制备及其性能的研究
面向并行计算平台的源代码核心部分分析
基于C-MEMS工艺的微结构间碳悬浮结构制造与测试
基于二聚体理论与扩散理论的Si1-xGex材料生长动力学模型
磷掺杂ZnO纳/微米结构的生长及发光器件的研究
基于LabVIEW的四探针法薄层电阻测试系统研究
ⅢA及Cu掺杂纤锌矿CdS的电子结构及光学性质研究
常压二氧化硅炉管生产工艺中颗粒污染的研究
ZnO:Mo薄膜的制备及特性研究
LaAlO3/GaAs异质结界面电学性能研究
微量元素对金银键合丝性能影响的第一性原理研究
GaN基电路的振荡问题及稳定性研究
二维磁性半导体三卤化铬的磁光效应研究
超导磁场的结构设计与优化
有机物中金属离子去除规律的研究
15kV碳化硅基功率IGBT器件设计
光伏硅晶体低反射率表面绒貌及加工工艺研究
碳化硅、氮化镓和扎镓石榴石衬底β-Ga2O3外延薄膜的制备及性质研究
滚动压印填充与脱模过程的机理研究
200mm重掺杂衬底硅片APCVD前颗粒研究
半导体晶片磁流变抛光的磁场发生装置设计
微纳结构硅的制备及器件化应用研究
基于PVK的新型π-堆积聚合物半导体材料的合成及光电性质研究
碳化硅纳米颗粒的制备、发光性质及相变的研究
新型噻吩异靛类有机半导体材料的合成及其性能研究
基于表面等离子体的超分辨干涉光刻原理和方法研究
用于纳米结构功能器件的表面等离子体光刻技术研究
三维微纳结构的光刻及其表面形貌测量方法的研究
V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究
碲系化合物半导体靶材制备及镀膜性能表征
p-n共掺杂In2O3基稀磁氧化物的电子结构与磁性
二维g-C2N和XT2半导体及异质结构的电子结构研究
红荧烯单晶材料与器件的制备及特性研究
SiC单晶片超精密化学机械拋光的关键技术研究
单层MoS2半导体材料的光电性质研究
纳米结构半导体材料:合成及其在光电化学能量转换领域中的应用
上一页
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
下一页