超导磁场的结构设计与优化
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 直拉法硅单晶生长原理及技术发展 | 第8-10页 |
| 1.1.1 CZ法简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 CZ法晶体生长工艺过程 | 第10页 |
| 1.2 CZ法晶体生长中的杂质和缺陷 | 第10-12页 |
| 1.3 磁场的主要类型 | 第12-15页 |
| 1.3.1 横向磁场 | 第12-13页 |
| 1.3.2 轴向磁场 | 第13-14页 |
| 1.3.3 Cusp磁场 | 第14页 |
| 1.3.4 四极磁场 | 第14-15页 |
| 1.4 国内外磁场研究现状 | 第15-16页 |
| 1.5 论文意义及研究内容 | 第16-18页 |
| 2 CZ法晶体生长的对流及磁场抑制原理 | 第18-24页 |
| 2.1 单晶炉中的熔体对流 | 第18-19页 |
| 2.2 Cusp磁场装置及其抑制对流原理 | 第19-21页 |
| 2.3 四极磁场装置及其抑制对流原理 | 第21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-24页 |
| 3 磁场模型的建立 | 第24-36页 |
| 3.1 有限元概述 | 第24-26页 |
| 3.2 磁场建模的具体步骤 | 第26页 |
| 3.3 Cusp磁场建模 | 第26-32页 |
| 3.4 四极磁场建模 | 第32-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 4 超导磁场的结构优化 | 第36-48页 |
| 4.1 Cusp磁场结构优化 | 第36-41页 |
| 4.1.1 线圈层数对磁场的影响 | 第37页 |
| 4.1.2 上下线圈间距对磁场强度的影响 | 第37-38页 |
| 4.1.3 屏蔽体厚度对场强的影响及漏磁的影响 | 第38-40页 |
| 4.1.4 线圈与屏蔽体之间的水平距离 | 第40页 |
| 4.1.5 线圈与屏蔽体之间的竖直方向上的距离 | 第40-41页 |
| 4.2 四极磁场的结构优化 | 第41-47页 |
| 4.2.1 线圈层数比对磁场的影响 | 第42-44页 |
| 4.2.2 线圈层数对磁场的影响 | 第44-45页 |
| 4.2.3 屏蔽体厚度对场强和漏磁的影响 | 第45页 |
| 4.2.4 磁场结构对场强和漏磁的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.5 正交式与非正交式结构的比较 | 第46-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 超导磁场参数建模及多目标优化 | 第48-56页 |
| 5.1 建立目标函数模型 | 第48-52页 |
| 5.1.1 磁场体积模型 | 第49-50页 |
| 5.1.2 磁场的场强模型 | 第50-52页 |
| 5.2 NSGA-II算法 | 第52-53页 |
| 5.3 优化结果及分析 | 第53-54页 |
| 5.4 验证 | 第54-55页 |
| 5.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 6 总结和展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 研究成果 | 第64页 |
