| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 异质结相关知识简介 | 第8-11页 |
| 1.1.1 异质结简介 | 第8页 |
| 1.1.2 异质结的形成原理及能带图 | 第8-10页 |
| 1.1.3 异质结的发展及其应用 | 第10页 |
| 1.1.4 异质结薄膜制备工艺 | 第10-11页 |
| 1.2 钙钛矿氧化物及STO、LAO简介 | 第11-13页 |
| 1.2.1 钙钛矿氧化物晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 钙钛矿氧化物的特性 | 第12页 |
| 1.2.3 LAO与STO关系介绍 | 第12页 |
| 1.2.4 钙钛矿氧化物异质结界面二维导电特性与氧空位 | 第12-13页 |
| 1.3 砷化镓晶格结构及特性简介 | 第13-15页 |
| 1.3.1 砷化镓的晶格结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 砷化镓的性质 | 第14-15页 |
| 1.4 STO/GaAs与LAO/GaAs的对比研究 | 第15-18页 |
| 1.4.1 STO/GaAs异质界面研究历程 | 第15-17页 |
| 1.4.2 根据STO/GaAs引入对LAO/GaAS的研究 | 第17-18页 |
| 1.5 论文选题思路及主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 LAO/GaAs样品的制备,表征及测试方法 | 第20-26页 |
| 2.1 脉冲激光沉积PLD | 第20-22页 |
| 2.1.1 PLD技术介绍 | 第20页 |
| 2.1.2 PLD工作原理 | 第20-22页 |
| 2.2 原子力显微镜AFM | 第22页 |
| 2.3 X射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
| 2.4 样品电学性能测试设备 | 第23-25页 |
| 2.4.1 多功能物性测量系统(PPMS-14H) | 第23-24页 |
| 2.4.2 Keithley系列仪器 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 LAO/GaAs的表征及电学性能测试结果分析 | 第26-40页 |
| 3.1 LAO/GaAs的制备参数及注意事项 | 第26-28页 |
| 3.2 LAO/GaAs的AFM表征结果 | 第28页 |
| 3.3 LAO/GaAs的XRD测试结果 | 第28-30页 |
| 3.4 LAO/GaAs样品的电学性能测试结果分析 | 第30-38页 |
| 3.4.1 范德堡法测量霍尔效应 | 第30-32页 |
| 3.4.2 LAO/GaAs样品的变温霍尔测试分析 | 第32-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 LAO/GaAs界面的第一性原理计算 | 第40-46页 |
| 4.1 第一性原理计算的基本理论 | 第40-41页 |
| 4.2 VASP软件程序 | 第41-42页 |
| 4.3 LAO/GaAs异质结界面处的晶格结构 | 第42页 |
| 4.4 LAO/GaAs异质结界面处的态密度分析 | 第42-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 全文总结 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第53页 |
