| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-29页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 周期纳米图形衬底的制备方法 | 第15-25页 |
| 1.2.1 传统紫外光刻技术 | 第17-19页 |
| 1.2.2 投影式曝光 | 第19-20页 |
| 1.2.3 极紫外光刻技术 | 第20-21页 |
| 1.2.4 电子束光刻 | 第21-22页 |
| 1.2.5 聚焦离子束光刻 | 第22-23页 |
| 1.2.6 纳米压印技术 | 第23-24页 |
| 1.2.7 激光干涉光刻技术 | 第24-25页 |
| 1.3 大面积光刻技术的优势 | 第25页 |
| 1.4 表征方法 | 第25-27页 |
| 1.4.1 直接观察 | 第25-26页 |
| 1.4.2 光学显微镜观察 | 第26-27页 |
| 1.4.3 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 1.5 研制系统的国内外现状及发展趋势 | 第27-28页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第28-29页 |
| 第2章 激光干涉曝光技术 | 第29-34页 |
| 2.1 激光干涉原理 | 第29-31页 |
| 2.2 双光束激光干涉技术制备图形方法 | 第31-34页 |
| 2.2.1 周期光栅制备方法 | 第31-32页 |
| 2.2.2 周期点阵制备方法 | 第32-34页 |
| 第3章 双光束激光干涉系统搭建 | 第34-45页 |
| 3.1 双光束激光干涉光刻的光路设计及选取 | 第34-35页 |
| 3.1.1 光路选择 | 第34-35页 |
| 3.2 激光干涉光刻系统的重要组成部件及其功能介绍 | 第35-42页 |
| 3.2.1 激光光源 | 第35-38页 |
| 3.2.2 紫外反射镜选择 | 第38-39页 |
| 3.2.3 空间滤波器 | 第39-41页 |
| 3.2.4 光快门 | 第41页 |
| 3.2.5 曝光台 | 第41-42页 |
| 3.2.6 激光功率计 | 第42页 |
| 3.3 曝光操作 | 第42页 |
| 3.4 影响激光干涉光刻系统的重要因素 | 第42-44页 |
| 3.4.1 光路的稳定性 | 第42-43页 |
| 3.4.2 光强的均匀性 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 双光束激光干涉系统制备周期纳米图形 | 第45-60页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 光刻工艺 | 第45-48页 |
| 4.2.1 硅片 | 第45页 |
| 4.2.2 硅片清洗 | 第45-46页 |
| 4.2.3 旋涂光刻胶 | 第46-48页 |
| 4.2.4 光刻胶 | 第48页 |
| 4.3 实验结果影响因素讨论 | 第48-53页 |
| 4.3.1 占空比 | 第48-49页 |
| 4.3.2 光刻胶的影响 | 第49-50页 |
| 4.3.3 振动的影响 | 第50页 |
| 4.3.4 增附剂影响 | 第50-51页 |
| 4.3.5 正性光刻胶周期孔阵 | 第51页 |
| 4.3.6 晶圆曝光不完全 | 第51-52页 |
| 4.3.7 图形对比度 | 第52-53页 |
| 4.4 光刻图形 | 第53-60页 |
| 4.4.1 500nm周期图形结构 | 第53-55页 |
| 4.4.2 750nm周期图形结构 | 第55-56页 |
| 4.4.3 1.2μm周期图形结构 | 第56-59页 |
| 4.4.4 结果讨论 | 第59-60页 |
| 结论与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |