| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-32页 |
| 1.1 稀磁半导体的研究概况 | 第9-14页 |
| 1.1.1 稀磁半导体的简介 | 第9-11页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的应用前景 | 第11页 |
| 1.1.3 稀磁半导体的铁磁性起源 | 第11-14页 |
| 1.2 In_2O_3基稀磁半导体 | 第14-31页 |
| 1.2.1 In_2O_3的结构 | 第15页 |
| 1.2.2 In_2O_3基稀磁半导体的研究现状 | 第15-31页 |
| 1.3 本论文的研究目的及研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 研究方法和软件包介绍 | 第32-40页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第32-37页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第32-33页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock单电子近似 | 第33-34页 |
| 2.1.3 密度泛函理论基础(DFT) | 第34-36页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第36页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第36-37页 |
| 2.2 常用软件包介绍 | 第37-39页 |
| 2.2.1 Quantum-ESPRESSO | 第37页 |
| 2.2.2 Material Studio(MS) | 第37页 |
| 2.2.3 Gaussian | 第37页 |
| 2.2.4 WIEN | 第37-38页 |
| 2.2.5 SIESTA | 第38页 |
| 2.2.6 Vienna Ab-initio Simulation Package(VASP) | 第38-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 Co/Sn共掺杂In_2O_3体系的电子结构与磁性 | 第40-54页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 模型及计算参数 | 第40-41页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第41-52页 |
| 3.3.1 Co/Sn共掺杂In_2O_3 | 第41-50页 |
| 3.3.2 氧空位对Co/Sn共掺杂In_2O_3电子结构的影响 | 第50-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 Cu/Sn共掺杂In_2O_3体系的电子结构与磁性 | 第54-69页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 模型及计算参数 | 第54-55页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第55-68页 |
| 4.3.1 Cu/Sn共掺杂In_2O_3 | 第55-62页 |
| 4.3.2 Cu/N/Sn共掺杂In_2O_3 | 第62-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
