| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 二维材料简介 | 第8-11页 |
| 1.1.1 异质结构 | 第8-10页 |
| 1.1.2 磁致电阻 | 第10-11页 |
| 1.2 新型二维材料g-C_2N | 第11-13页 |
| 1.3 新型二维材料硼烯 | 第13-17页 |
| 1.3.1 原子结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 各向异性 | 第14-16页 |
| 1.3.3 硼烯纳米带 | 第16-17页 |
| 1.4 过渡金属硫化物XT | 第17-18页 |
| 1.5 过渡金属碳化物X_2C | 第18-19页 |
| 1.6 二维材料与金属的接触电阻 | 第19-20页 |
| 1.7 二维材料的研究意义 | 第20页 |
| 1.8 本论文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 理论和研究方法 | 第22-25页 |
| 2.1 基础理论 | 第22-23页 |
| 2.1.1 密度泛函理论 | 第22页 |
| 2.1.2 异质结构和空间群 | 第22页 |
| 2.1.3 交换关联能和广义梯度近似 | 第22页 |
| 2.1.4 赝势和投影缀加波 | 第22页 |
| 2.1.5 截断能 | 第22-23页 |
| 2.1.6 布里渊区和高对称点 | 第23页 |
| 2.1.7 自旋-轨道耦合和范德瓦尔斯力 | 第23页 |
| 2.1.8 应变效应、电场效应和吸附 | 第23页 |
| 2.2 研究方法 | 第23-25页 |
| 第三章 二维半导体g-C_2N吸附过渡金属的电子结构 | 第25-33页 |
| 3.1 介绍和研究方法 | 第25-26页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第26-32页 |
| 3.2.1 二维g-C_2N吸附不同TM原子 | 第27-30页 |
| 3.2.2 二维g-C_2N吸附不同浓度Fe原子 | 第30-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 二维范德瓦尔斯MoTe_2/WTe_2异质结构的应力和电场效应 | 第33-41页 |
| 4.1 介绍和研究方法 | 第33-34页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第34-40页 |
| 4.2.1 应力效应 | 第35-38页 |
| 4.2.2 电场效应 | 第38-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 电场对g-C_2N/XSe_2(X=Mo、W)异质结构的电子结构的影响 | 第41-47页 |
| 5.1 介绍和研究方法 | 第41-42页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第42-46页 |
| 5.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 结论、创新点和展望 | 第47-49页 |
| 6.1 本论文的主要结论 | 第47页 |
| 6.2 本论文的创新点 | 第47-48页 |
| 6.3 后续研究工作的展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
