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单槽法制备多孔硅及其发光性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
目录第6-8页
1 绪论第8-24页
    1.1 多孔硅概述第8-11页
        1.1.1 多孔硅发展历程第8-9页
        1.1.2 多孔硅应用前景第9-11页
    1.2 多孔硅制备方法第11-14页
        1.2.1 电化学法第11-12页
        1.2.2 化学刻蚀法第12-13页
        1.2.3 高频放电腐蚀法第13页
        1.2.4 多孔硅发光性能的改进第13-14页
    1.3 多孔硅产生机理与发光机制第14-19页
        1.3.1 多孔硅产生机理第14-17页
        1.3.2 多孔硅发光机制第17-19页
    1.4 多孔硅的表征第19-22页
        1.4.1 表面形貌的表征第19-21页
        1.4.2 光致发光光谱第21-22页
    1.5 本论文主要研究内容第22-24页
2 多孔硅的制备与测试第24-30页
    2.1 实验材料第24-25页
    2.2 实验装置第25页
    2.3 实验步骤第25-27页
        2.3.1 材料清洗第25-26页
        2.3.2 样品制备第26-27页
    2.4 实验结果测试方法第27-28页
        2.4.1 光致发光检测第27-28页
        2.4.2 表面形貌表征第28页
    2.5 注意事项第28-30页
3 实验结果分析第30-47页
    3.1 刻蚀溶液浓度对样品形貌及其 PL 特性的影响第30-32页
    3.2 刻蚀时间对样品形貌及 PL 特性的影响第32-35页
    3.3 刻蚀电流密度对样品形貌及 PL 特性的影响第35-47页
        3.3.1 恒定电流条件下所制备样品的特性与分析第35-37页
        3.3.2 渐变电流条件下所制备样品的特性与分析第37-47页
4 总结第47-48页
参考文献第48-52页
附录 A 实验装置实物图第52-53页
附录 B 样品光致发光效果第53-55页
个人简历第55-56页
致谢第56页

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