| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 纳米材料的介绍 | 第9-14页 |
| 1.2.1 纳米材料的基本特性 | 第9-11页 |
| 1.2.2 纳米材料的发展概况及其应用 | 第11-14页 |
| 1.3 半导体体系纳米材料的光电性能 | 第14-15页 |
| 1.4 纳米材料的传感器 | 第15-17页 |
| 1.5 纳米材料MoS_2的研究现状与应用 | 第17-19页 |
| 1.5.1 二硫化钼的基本结构与基本特性 | 第17-18页 |
| 1.5.2 二硫化钼的应用 | 第18-19页 |
| 1.5.3 二硫化钼的制备方法 | 第19页 |
| 1.6 本文的选题背景及主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 单层MoS_2的制备与表征 | 第21-25页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 单层MoS_2半导体材料的制备与表征 | 第21-25页 |
| 2.2.1 实验设备以及制备方法 | 第21-23页 |
| 2.2.2 样品的表征 | 第23-25页 |
| 第三章 单层MoS_2的光电性质研究 | 第25-33页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 单层MoS_2纳米片晶体管 | 第26-29页 |
| 3.2.1 器件制备的具体方法 | 第26-27页 |
| 3.2.2 测试平台的搭建 | 第27-29页 |
| 3.3 不同波长照射下的MoS_2纳米片电学特性 | 第29-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 基于MoS_2纳米片薄膜晶体管的湿度传感器 | 第33-40页 |
| 4.1 引言 | 第33-34页 |
| 4.2 相对湿度对MoS_2纳米片薄膜电学性能的影响 | 第34-39页 |
| 4.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 结论与展望 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-50页 |
| 附录 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |