| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 微结构硅及其加工 | 第11-18页 |
| 1.2.1 多孔硅的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 黑硅的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.2.3 纳米压印刻蚀制备黑硅 | 第15-17页 |
| 1.2.4 金属催化化学刻蚀与硅纳米线 | 第17-18页 |
| 1.3 微结构硅的“金属/半导体”接触 | 第18-21页 |
| 1.4 硅基PIN光电探测器 | 第21-23页 |
| 1.5 研究内容及技术路线 | 第23-25页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第23页 |
| 1.5.2 技术路线 | 第23-25页 |
| 第二章 微米尺度微结构硅的制备研究 | 第25-31页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 基本原理及设备要求 | 第25-27页 |
| 2.2.1 光催化电化学腐蚀基本原理 | 第25-26页 |
| 2.2.2 设备要求 | 第26-27页 |
| 2.3 实验结果及讨论 | 第27-30页 |
| 2.3.1 工艺条件对表面结构的影响 | 第28页 |
| 2.3.2 不同硅晶体对刻蚀结构的影响 | 第28-30页 |
| 2.3.3 多孔硅的光吸收特性研究 | 第30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 纳米微结构引入多孔硅的研究 | 第31-46页 |
| 3.1 引言 | 第31-35页 |
| 3.1.1 影响金属催化刻蚀的因素 | 第31-33页 |
| 3.1.2 金属催化刻蚀的掩膜方法 | 第33-35页 |
| 3.2 实验方案设计 | 第35-38页 |
| 3.3 多孔硅作为基底的金属催化刻蚀设想 | 第38-39页 |
| 3.4 实验结果及讨论 | 第39-45页 |
| 3.4.1 硅基表面催化粒子附着研究 | 第39-42页 |
| 3.4.2 多孔硅的金属催化二次刻蚀工艺研究 | 第42-44页 |
| 3.4.3 纳米尺度微结构硅的光吸收特性研究 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 微结构硅的光电性能及器件化应用研究 | 第46-58页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 微结构硅的电极制备及I-V特性 | 第46-50页 |
| 4.2.1. 常用电极制备方法 | 第46-47页 |
| 4.2.2 化学镀工艺流程 | 第47-48页 |
| 4.2.3 I-V特性测试方法 | 第48-49页 |
| 4.2.4 实验结果及讨论 | 第49-50页 |
| 4.3 微结构硅的光吸收特性比较研究 | 第50-51页 |
| 4.4 基于微结构硅的Si-PIN探测器试制及功能验证 | 第51-56页 |
| 4.4.1 新型Si-PIN探测器结构设计 | 第51-54页 |
| 4.4.2 基于微结构硅的正照式Si-PIN器件试制 | 第54-55页 |
| 4.4.3 基于微结构硅的Si-PIN探测器的光谱响应 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 结论 | 第58页 |
| 5.2 展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
