| 摘要 | 第9-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-14页 |
| 1.2 硅电池表面制绒研究现状 | 第14-21页 |
| 1.2.1 碱腐蚀法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 酸腐蚀法 | 第15-17页 |
| 1.2.3 反应离子刻蚀法(RIE) | 第17页 |
| 1.2.4 硅晶电池表面陷光结构研究 | 第17-21页 |
| 1.3 硅晶体微细加工的发展 | 第21-26页 |
| 1.3.1 微细切削刀具的发展 | 第21-25页 |
| 1.3.2 硅晶体塑性域加工研究 | 第25-26页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 不同槽型低反射率硅表面微结构仿真研究 | 第28-46页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 不同微结构反射率计算二维模型 | 第28-32页 |
| 2.2.1 矩形槽微结构二维模型 | 第28-29页 |
| 2.2.2 圆弧槽微结构二维模型 | 第29-31页 |
| 2.2.3 半圆底矩形槽微结构二维模型 | 第31-32页 |
| 2.3 计算模型及数值算法 | 第32-36页 |
| 2.4 反射率计算结果及讨论 | 第36-44页 |
| 2.4.1 光线数量n值的确定 | 第36-38页 |
| 2.4.2 r/H值及初始入射角对圆弧槽陷光微结构反射率的影响 | 第38-40页 |
| 2.4.3 α值及初始入射角对矩形槽陷光微结构反射率的影响 | 第40-41页 |
| 2.4.4 α值及初始入射角对矩形槽陷光微结构反射率的影响 | 第41-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第3章 单晶硅切削有限元仿真 | 第46-60页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 单晶硅延性域铣削理论 | 第46-48页 |
| 3.3 有限元仿真 | 第48-58页 |
| 3.3.1 材料参数设置 | 第48-49页 |
| 3.3.2 网格划分和边界条件 | 第49-51页 |
| 3.3.3 切削分离准则 | 第51-52页 |
| 3.3.4 单晶硅二维切削仿真 | 第52页 |
| 3.3.5 主轴转速对切削力的影响 | 第52-54页 |
| 3.3.6 刀具悬伸量对加工的影响 | 第54-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 单晶硅表面矩形槽绒貌铣削实验研究 | 第60-76页 |
| 4.1. 引言 | 第60页 |
| 4.2. 实验准备 | 第60-64页 |
| 4.2.1 实验设备 | 第60-61页 |
| 4.2.2 实验所用微细刀具及硅片 | 第61-64页 |
| 4.3 实验设计 | 第64-66页 |
| 4.4 实验结果和讨论 | 第66-75页 |
| 4.4.1 较优的槽间宽度 | 第66-69页 |
| 4.4.2 较优的轴向切深 | 第69-71页 |
| 4.4.3 单槽多次铣削 | 第71-72页 |
| 4.4.4 反射率分析 | 第72-73页 |
| 4.4.5 刀具磨损 | 第73-75页 |
| 4.5 本章小节 | 第75-76页 |
| 总结与展望 | 第76-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 攻读学位期间发表论文、参与课题及奖励情况 | 第86-87页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第87页 |
