| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1. 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 半导体科学简介 | 第10-12页 |
| 1.2 常见半导体材料 | 第12-17页 |
| 1.2.1 第一代半导体 | 第13-14页 |
| 1.2.2 第二代半导体材料 | 第14页 |
| 1.2.3 合金半导体材料 | 第14-17页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 2. 理论模型与方法 | 第19-33页 |
| 2.1 计算物理学 | 第19-20页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第20-29页 |
| 2.2.1 多粒子系统的薛定谔方程 | 第21-22页 |
| 2.2.2 玻恩-奥本海默近似 | 第22-23页 |
| 2.2.3 哈特利-福克近似 | 第23-24页 |
| 2.2.4 Hohenberg-Kohn 定理 | 第24-26页 |
| 2.2.5 Kohn-Sham 方程 | 第26-28页 |
| 2.2.6 赝势方法 | 第28-29页 |
| 2.3 固体中的光吸收 | 第29-30页 |
| 2.3.1 固体光学常数间的基本关系 | 第29-30页 |
| 2.4 计算软件介绍 | 第30-33页 |
| 2.4.1 VASP 简介 | 第30-31页 |
| 2.4.2 传统密度泛函的缺陷与杂化泛函 | 第31-32页 |
| 2.4.3 计算模型以及一些重要参数的设置 | 第32-33页 |
| 3. 二元合金 GaAs GaN GaBi | 第33-43页 |
| 3.1 结构性质 | 第33-35页 |
| 3.2 电子性质 | 第35-38页 |
| 3.3 Vegard 定律 | 第38-39页 |
| 3.4 三元合金 GaAsBi | 第39-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 4. 四元合金 GaAsBiN 的电子性质及光学性质研究 | 第43-56页 |
| 4.1 电子性质 | 第44-47页 |
| 4.2 结构性质 | 第47-48页 |
| 4.3 掺杂浓度与帯隙变化 | 第48-52页 |
| 4.4 光学性质 | 第52-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 5. 总结 | 第56-57页 |
| 附图清单 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 个人简历 | 第64页 |