| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第9-12页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第12-13页 |
| 1.4 本章小结 | 第13-14页 |
| 2 薄膜生长原理及图形化衬底的制备方式 | 第14-20页 |
| 2.1 CVD法生长薄膜的基本原理 | 第14-17页 |
| 2.1.1 成核 | 第14-15页 |
| 2.1.2 薄膜生长及图形化衬底的意义 | 第15-17页 |
| 2.2 图形化衬底的制备方式 | 第17-20页 |
| 3 图形化衬底制备研究 | 第20-30页 |
| 3.1 衬底选择和实验设备介绍 | 第20页 |
| 3.2 衬底图形设计 | 第20-21页 |
| 3.3 图形化衬底的制作 | 第21-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 4 3C-SiC生长环境对衬底的影响 | 第30-36页 |
| 4.1 不同温度下真空气氛处理对SiO_2掩膜图形层的影响 | 第31-33页 |
| 4.2 不同温度下H_2和C_2H_2对SiO_2掩膜图形层的影响 | 第33-36页 |
| 5 图形衬底上生长3C-SiC薄膜的研究 | 第36-50页 |
| 5.1 干法刻蚀图形衬底上生长3C-SiC薄膜的研究 | 第36-43页 |
| 5.2 湿法刻蚀图形衬底上生长3C-SiC薄膜的研究 | 第43-50页 |
| 6 总结与展望 | 第50-52页 |
| 6.1 总结 | 第50-51页 |
| 6.2 展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 在校期间发表论文 | 第58页 |
