| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8页 |
| 1 ZnO 材料的结构及性质 | 第8-16页 |
| 1.1 ZnO 的结构 | 第8-10页 |
| 1.2 ZnO 的特性 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO 材料及其器件的研究进展 | 第11-16页 |
| 2 ZnO 材料的生长方法及表征技术 | 第16-22页 |
| 2.1 ZnO 材料的生长方法 | 第16-18页 |
| 2.1.1 溅射法 | 第16-17页 |
| 2.1.2 金属有机物化学气相沉积 | 第17页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积法 | 第17页 |
| 2.1.4 分子束外延法 | 第17-18页 |
| 2.1.5 水溶液法 | 第18页 |
| 2.2 ZnO 材料的表征技术 | 第18-22页 |
| 2.2.1 X 射线衍射 | 第18-19页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第19-20页 |
| 2.2.3 光致发光测试 | 第20页 |
| 2.2.4 原子力显微镜 | 第20-22页 |
| 3 GaAs 衬底上制备 ZnO 基同质结发光器件 | 第22-34页 |
| 3.1 金属有机化学气相沉积（MOCVD）制备 p-ZnO 薄膜 | 第22-24页 |
| 3.2 GaAs 衬底上制备 ZnO 同质结发光器件 | 第24-25页 |
| 3.3 对 n-ZnO、p-ZnO 和 ZnO 基发光器件的表征测试及分析 | 第25-33页 |
| 小结 | 第33-34页 |
| 4 蓝宝石衬底上制备 p-ZnO：N/n-GaN：Si 异质结发光器件 | 第34-42页 |
| 4.1 MOCVD 制备 p-ZnO 及 n-GaN 薄膜 | 第34-35页 |
| 4.2 制备 p-ZnO：N/n-GaN：Si 结构的异质结 LED | 第35页 |
| 4.3 对 p-ZnO、n-GaN 和异质结发光器件的表征测试及分析 | 第35-41页 |
| 本章小结 | 第41-42页 |
| 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |
