| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 电致发光概述 | 第8-10页 |
| 1.3 电致发光国内外研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3.1 有机电致发光进展研究 | 第10页 |
| 1.3.2 无机注入式电致发光进展研究 | 第10-12页 |
| 1.4 论文主要工作与章节安排 | 第12-13页 |
| 第二章 发光二极管原理及相关理论 | 第13-21页 |
| 2.1 发光二极管的发光原理 | 第13-15页 |
| 2.2 发光二极管的光学参数 | 第15-19页 |
| 2.2.1 发光二极管的光谱分布 | 第15-16页 |
| 2.2.2 辐射通量 | 第16页 |
| 2.2.3 光通量 | 第16-17页 |
| 2.2.4 发光强度 | 第17页 |
| 2.2.5 亮度 | 第17页 |
| 2.2.6 发光效率 | 第17页 |
| 2.2.7 量子效率 | 第17-19页 |
| 2.3 衬底材料的选择 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 材料物理特性及应变相关理论 | 第21-33页 |
| 3.1 In_xGa_(1-x)As 半导体材料特性 | 第21-23页 |
| 3.2 Ge 半导体材料特性 | 第23-26页 |
| 3.2.1 Ge 晶格结构 | 第23-24页 |
| 3.2.2 Ge 能带结构 | 第24-26页 |
| 3.3 应变相关理论 | 第26-29页 |
| 3.4 应变 Ge 的能带变化理论 | 第29-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 Ge/In_(0.25)Ga_(0.75)As 异质结发光特性研究 | 第33-53页 |
| 4.1 仿真软件介绍 | 第33-34页 |
| 4.2 ATLAS 中的物理模型与物理方程 | 第34-41页 |
| 4.2.1 基本物理方程 | 第34-38页 |
| 4.2.2 基本物理模型 | 第38-41页 |
| 4.3 Ge/In_(0.25)Ga_(0.75)As 异质结量子阱发光特性研究 | 第41-51页 |
| 4.3.1 Atlas 软件仿真—器件结构 | 第41-43页 |
| 4.3.2 ATLAS 软件仿真—仿真设置 | 第43-47页 |
| 4.3.3 ATLAS 软件仿真—仿真结果 | 第47-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 In 组分对器件发光特性影响研究 | 第53-63页 |
| 5.1 In 组分对器件发光特性影响理论研究 | 第53-55页 |
| 5.2 仿真结果 | 第55-60页 |
| 5.2.1 载流子辐射复合率与 In 组分的关系 | 第55-58页 |
| 5.2.2 发光强度与 In 组分的关系 | 第58-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
