首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究

摘要第5-6页
abstract第6页
第1章 绪论第9-25页
    1.1 GaN基本性质第10-12页
    1.2 GaN材料中V形坑缺陷形成原因第12-16页
    1.3 GaN材料V形坑缺陷特性研究第16-23页
        1.3.1 V形坑对生长的影响第16-18页
        1.3.2 V形坑对光学特性的影响第18-22页
        1.3.3 V形坑对电学特性的影响第22-23页
    1.4 论文研究内容第23-25页
第2章 MOCVD生长方法及材料表征手段第25-37页
    2.1 引言第25页
    2.2 MOCVD外延技术第25-29页
        2.2.1 MOCVD系统外延III族氮化物机理第25-27页
        2.2.2 MOCVD控制及监测系统第27-29页
    2.3 Ⅲ族氮化物材料表征方法第29-36页
        2.3.1 扫描电子显微镜第29-31页
        2.3.2 拉曼光谱第31-33页
        2.3.3 光致发光(PL)测试第33-34页
        2.3.4 高分辨X射线双晶衍射第34-36页
    2.4 本章小结第36-37页
第3章 GaN中V形坑缺陷生长控制第37-43页
    3.1 引言第37页
    3.2 不同V形坑密度GaN材料生长第37-41页
    3.3 V形坑表面形貌分析第41-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第4章 V形坑对GaN材料性能影响分析第43-52页
    4.1 引言第43页
    4.2 V形坑缺陷对GaN材料光学特性的影响第43-46页
    4.3 V形坑缺陷对GaN结构特性的影响第46-48页
    4.4 V形坑缺陷对GaN应力特性的影响第48-50页
    4.5 本章小结第50-52页
第5章 论文总结与展望第52-53页
    5.1 工作总结第52页
    5.2 未来工作展望第52-53页
参考文献第53-56页
致谢第56-57页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第57页

论文共57页,点击 下载论文
上一篇:羽毛球运动对儿童健康体适能和基础代谢的影响
下一篇:VoLTE半持续调度机制的研究