V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 GaN基本性质 | 第10-12页 |
| 1.2 GaN材料中V形坑缺陷形成原因 | 第12-16页 |
| 1.3 GaN材料V形坑缺陷特性研究 | 第16-23页 |
| 1.3.1 V形坑对生长的影响 | 第16-18页 |
| 1.3.2 V形坑对光学特性的影响 | 第18-22页 |
| 1.3.3 V形坑对电学特性的影响 | 第22-23页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 MOCVD生长方法及材料表征手段 | 第25-37页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 MOCVD外延技术 | 第25-29页 |
| 2.2.1 MOCVD系统外延III族氮化物机理 | 第25-27页 |
| 2.2.2 MOCVD控制及监测系统 | 第27-29页 |
| 2.3 Ⅲ族氮化物材料表征方法 | 第29-36页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第29-31页 |
| 2.3.2 拉曼光谱 | 第31-33页 |
| 2.3.3 光致发光(PL)测试 | 第33-34页 |
| 2.3.4 高分辨X射线双晶衍射 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 GaN中V形坑缺陷生长控制 | 第37-43页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 不同V形坑密度GaN材料生长 | 第37-41页 |
| 3.3 V形坑表面形貌分析 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 V形坑对GaN材料性能影响分析 | 第43-52页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 V形坑缺陷对GaN材料光学特性的影响 | 第43-46页 |
| 4.3 V形坑缺陷对GaN结构特性的影响 | 第46-48页 |
| 4.4 V形坑缺陷对GaN应力特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 论文总结与展望 | 第52-53页 |
| 5.1 工作总结 | 第52页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第57页 |
