| 摘要 | 第11-13页 |
| Abstract | 第13-14页 |
| 第1章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第15-18页 |
| 1.2 国内外SiC单晶的加工研究现状 | 第18-21页 |
| 1.2.1 国外SiC的加工研究现状 | 第18-20页 |
| 1.2.2 国内SiC的加工研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3 课题的提出及意义 | 第21-22页 |
| 1.4 课题的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 SiC化学机械抛光机结构方案的研究 | 第23-43页 |
| 2.1 化学机械抛光的影响因素 | 第23-24页 |
| 2.2 材料去除的数学模型 | 第24-30页 |
| 2.2.1 定偏心旋转时的材料去除模型 | 第25-27页 |
| 2.2.2 直线轨道式抛光机的材料去除模型 | 第27-28页 |
| 2.2.3 弧形轨道式抛光机的材料去除模型 | 第28-30页 |
| 2.3 材料去除情况的数值拟合分析 | 第30-34页 |
| 2.3.1 材料去除率的数值分析 | 第30-32页 |
| 2.3.2 材料去除非均匀性的数值分析 | 第32-34页 |
| 2.4 化学机械抛光机运动方案的设计 | 第34-40页 |
| 2.4.1 直线轨道式结构方案 | 第34-39页 |
| 2.4.2 弧形轨道式结构方案 | 第39-40页 |
| 2.5 化学机械抛光机运动方案的确定 | 第40-41页 |
| 2.6 本章小结 | 第41-43页 |
| 第3章 化学机械抛光的关键技术的研究 | 第43-59页 |
| 3.1 抛光头主轴微进给技术 | 第43-46页 |
| 3.1.1 微进给技术 | 第43页 |
| 3.1.2 常用的微进给装置 | 第43-44页 |
| 3.1.3 丝杠螺母双驱动微进给装置 | 第44-46页 |
| 3.2 CMP压力的模糊自适应控制 | 第46-53页 |
| 3.2.1 CMP过程压力的控制要求 | 第46-47页 |
| 3.2.2 CMP压力的控制方法 | 第47-48页 |
| 3.2.3 CMP压力的模糊控制 | 第48-53页 |
| 3.3 SiC单晶片夹持技术 | 第53-55页 |
| 3.4 SiC单晶片CMP抛光综合终点检测技术 | 第55-57页 |
| 3.4.1 电机电流终点检测 | 第56页 |
| 3.4.2 光学终点检测 | 第56-57页 |
| 3.4.3 抛光垫温度终点检测 | 第57页 |
| 3.4.4 综合终点检测技术 | 第57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 直线轨道式化学机械抛光机的结构设计 | 第59-75页 |
| 4.1 相关设计参数 | 第59页 |
| 4.2 抛光盘摩擦力和摩擦力矩的计算 | 第59-60页 |
| 4.3 抛光头摩擦力和摩擦力矩的计算 | 第60-61页 |
| 4.4 抛光盘部件的设计 | 第61-64页 |
| 4.4.1 抛光盘的结构设计 | 第61页 |
| 4.4.2 抛光盘传动系统的设计 | 第61-64页 |
| 4.5 抛光头部件的设计 | 第64-72页 |
| 4.5.1 抛光头传动装置的设计 | 第64-65页 |
| 4.5.2 抛光头加压装置的设计 | 第65-67页 |
| 4.5.3 抛光头往复摆动导轨的设计 | 第67-70页 |
| 4.5.4 抛光头主轴导轨的设计 | 第70-72页 |
| 4.6 抛光机基台的设计 | 第72-74页 |
| 4.6.1 基台结构的静力学分析 | 第72-74页 |
| 4.7 本章小结 | 第74-75页 |
| 第5章 化学机械抛光三维模型仿真 | 第75-83页 |
| 5.1 基于ADAMS软件的化学机械抛光机的动态仿真 | 第75-81页 |
| 5.1.1 ADAMS软件概述 | 第75-76页 |
| 5.1.2 创建抛光机的ADAMS模型 | 第76-77页 |
| 5.1.3 创建模型约束及施加驱动 | 第77-78页 |
| 5.1.4 检验仿真模型 | 第78-79页 |
| 5.1.5 仿真及仿真结果的分析 | 第79-81页 |
| 5.2 本章小结 | 第81-83页 |
| 总结与展望 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和科研成果 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第94页 |