| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 碳化硅材料特点 | 第9-10页 |
| 1.2 15kV碳化硅基功率IGBT器件优势及应用 | 第10-11页 |
| 1.3 15kV碳化硅基功率IGBT器件研究现状 | 第11-13页 |
| 1.4 本文的主要工作和指标 | 第13-15页 |
| 1.4.1 本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 1.4.2 设计指标 | 第14-15页 |
| 第二章 碳化硅基功率IGBT器件结构及原理 | 第15-27页 |
| 2.1 碳化硅基功率IGBT器件的基本结构 | 第15-17页 |
| 2.1.1 碳化硅基功率IGBT器件的元胞结构 | 第15-16页 |
| 2.1.2 碳化硅基功率IGBT器件的终端结构 | 第16-17页 |
| 2.2 碳化硅基功率IGBT器件的工作原理 | 第17-26页 |
| 2.2.1 碳化硅基功率IGBT器件元胞的工作原理 | 第17-25页 |
| 2.2.2 碳化硅基功率IGBT器件终端的工作原理 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 15kV碳化硅基IGBT器件元胞设计 | 第27-41页 |
| 3.1 15kV碳化硅基IGBT器件漂移区设计 | 第27-33页 |
| 3.2 15kV碳化硅基IGBT器件JFET区设计 | 第33-36页 |
| 3.3 15kV碳化硅基IGBT器件电流增强层设计 | 第36-37页 |
| 3.4 15kV碳化硅基IGBT器件缓冲层设计 | 第37-38页 |
| 3.5 15kV碳化硅基IGBT器件元胞参数确定及电学特性 | 第38-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 15kV碳化硅基IGBT器件终端结构设计 | 第41-53页 |
| 4.1 基于结终端扩展技术的终端结构设计 | 第41-46页 |
| 4.1.1 单区结终端扩展 | 第42-43页 |
| 4.1.2 多区结终端扩展 | 第43-44页 |
| 4.1.3 多区浮空结终端扩展 | 第44-46页 |
| 4.2 基于浮空场环技术的终端结构设计 | 第46-50页 |
| 4.2.1 等间距浮空场环 | 第47-48页 |
| 4.2.2 不等间距浮空场环 | 第48-50页 |
| 4.3 终端结构参数确定及电学特性 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 15kV碳化硅基功率IGBT高温特性研究 | 第53-61页 |
| 5.1 15kV碳化硅基功率IGBT高温静态特性研究 | 第53-56页 |
| 5.1.1 阻断特性 | 第53页 |
| 5.1.2 转移特性 | 第53-54页 |
| 5.1.3 输出特性 | 第54-56页 |
| 5.2 15kV碳化硅基功率IGBT高温动态特性研究 | 第56-59页 |
| 5.2.1 电容特性 | 第56页 |
| 5.2.2 栅电荷特性 | 第56-57页 |
| 5.2.3 开关特性 | 第57-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 总结 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间成果 | 第69页 |
