| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 引言 | 第8-24页 |
| 1.1 ZnO 的基本性质 | 第9-13页 |
| 1.1.1 ZnO 的光学性能 | 第11-12页 |
| 1.1.2 ZnO 的光电性能 | 第12页 |
| 1.1.3 ZnO 的电输运性能 | 第12页 |
| 1.1.4 ZnO 的压电性能 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnO 的缺陷与掺杂 | 第13-15页 |
| 1.2.1 ZnO 的本征缺陷 | 第13-14页 |
| 1.2.2 ZnO 的非故意掺杂 | 第14页 |
| 1.2.3 ZnO 的 n 型掺杂 | 第14页 |
| 1.2.4 ZnO 的 p 型掺杂 | 第14-15页 |
| 1.3 ZnO 基纳米器件的研究进展 | 第15-22页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第22-24页 |
| 2 ZnO 纳米材料的制备方法及常用的表征手段 | 第24-32页 |
| 2.1 ZnO 纳米材料的制备方法 | 第24-26页 |
| 2.1.1 化学气相沉积法 | 第24页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第24-25页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积 | 第25页 |
| 2.1.4 射频磁控溅射法 | 第25页 |
| 2.1.5 溶胶—凝胶法 | 第25-26页 |
| 2.2 ZnO 纳米材料常用的表征手段 | 第26-32页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.3 STM-TEM 组合表征测试 | 第28页 |
| 2.2.4 X 射线衍射谱 | 第28-30页 |
| 2.2.5 光致荧光谱 | 第30-31页 |
| 2.2.6 I-V 测试 | 第31-32页 |
| 3 p-ZnO:P 纳米线/n-Si 异质结的制备和性能研究 | 第32-39页 |
| 3.1 实验过程 | 第32-33页 |
| 3.1.1 p-ZnO:P 纳米线的制备 | 第32页 |
| 3.1.2 p-ZnO:P 纳米线/n-Si 异质结的制备 | 第32-33页 |
| 3.2 ZnO:P 纳米线及其异质结的性能研究 | 第33-38页 |
| 3.2.1 ZnO:P 纳米线的表面形貌 | 第33-34页 |
| 3.2.2 ZnO:P 纳米线的结构特性 | 第34-35页 |
| 3.2.3 ZnO:P 纳米线的光学特性 | 第35-37页 |
| 3.2.4 p-ZnO:P 纳米线/n-Si 异质结的 I-V 特性 | 第37-38页 |
| 3.3 小结 | 第38-39页 |
| 4 Au/ZnO/Al 肖特基二极管的制备和性能研究 | 第39-44页 |
| 4.1 实验过程 | 第39-41页 |
| 4.1.1 ZnO 微米线的制备 | 第39-40页 |
| 4.1.2 单根 Au/ZnO/Al 微米线肖特基二极管的制备 | 第40-41页 |
| 4.2 结果和讨论 | 第41-43页 |
| 4.2.1 ZnO 微米线的表面形貌 | 第41页 |
| 4.2.2 ZnO 微米线的光学特性 | 第41-42页 |
| 4.2.3 Au/ZnO/Al 肖特基二极管的 I-V 特性 | 第42-43页 |
| 4.3 小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
