GaN基电路的振荡问题及稳定性研究
| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-19页 |
| 1.1 GaN器件研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2.1 GaN器件面临的技术挑战 | 第13-15页 |
| 1.2.2 GaN器件应用中的问题 | 第15-17页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 2 GaN器件振荡机理分析 | 第19-35页 |
| 2.1 GaN器件双脉冲测试电路原理 | 第19-23页 |
| 2.2 不同封装GaN器件的振荡机理分析 | 第23-30页 |
| 2.2.1 开通过程振荡机理 | 第23-28页 |
| 2.2.2 关断过程振荡机理 | 第28-30页 |
| 2.3 仿真验证 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 3 GaN基电路稳定性分析 | 第35-65页 |
| 3.1 振荡器稳定性判据 | 第36-40页 |
| 3.1.1 基本反馈振荡器理论 | 第36-38页 |
| 3.1.2 负阻振荡器理论 | 第38-40页 |
| 3.2 振荡小信号建模 | 第40-54页 |
| 3.2.1 开通过程小信号分析建模 | 第40-49页 |
| 3.2.2 关断过程小信号分析建模 | 第49-54页 |
| 3.3 稳定性分析 | 第54-64页 |
| 3.3.1 非开尔文GaN器件稳定性分析 | 第54-59页 |
| 3.3.2 开尔文GaN器件稳定性分析 | 第59-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 4 GaN基电路振荡抑制方法研究 | 第65-79页 |
| 4.1 主动抑制措施 | 第65-74页 |
| 4.1.1 减小开关速度 | 第65-67页 |
| 4.1.2 环路优化布局 | 第67-69页 |
| 4.1.3 GaN半桥模块 | 第69-74页 |
| 4.2 被动抑制措施 | 第74-76页 |
| 4.3 本章小结 | 第76-79页 |
| 5 结论 | 第79-81页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第79-80页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第85-89页 |
| 学位论文数据集 | 第89页 |
