| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 图录 | 第9-11页 |
| 表录 | 第11-12页 |
| 第一章 导论 | 第12-20页 |
| 1.1 集成电路生产中污染对晶圆的危害 | 第12-15页 |
| 1.1.1 污染的来源 | 第13页 |
| 1.1.2 集成电路工艺中的检测设备 | 第13-15页 |
| 1.2 本课题的研究背景 | 第15-19页 |
| 1.3 本课题在集成电路工艺中的研究意义 | 第19-20页 |
| 第二章 常压二氧化硅工艺中缺陷的来源 | 第20-32页 |
| 2.1 集成电路工艺中炉管设备简介 | 第20-21页 |
| 2.2 炉管设备产生颗粒污染的分析 | 第21-30页 |
| 2.2.1 反应管和晶舟产生颗粒污染分析 | 第21-23页 |
| 2.2.2 气体输送系统产生颗粒污染分析 | 第23-26页 |
| 2.2.3 控压系统产生颗粒污染分析 | 第26-28页 |
| 2.2.4 传输系统产生颗粒污染分析 | 第28-30页 |
| 2.3 二氧化硅工艺中设备产生颗粒污染的分析 | 第30-32页 |
| 第三章 常压二氧化硅主要工艺参数对颗粒污染的影响 | 第32-41页 |
| 3.1 半导体工艺的相关知识 | 第32-33页 |
| 3.2 工艺参数对颗粒污染的影响 | 第33-39页 |
| 3.2.1 温度参数对颗粒污染的影响 | 第33-36页 |
| 3.2.2 压力参数对颗粒污染的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.3 流量参数对颗粒污染的影响 | 第38-39页 |
| 3.3 二氧化硅工艺中各项参数对颗粒污染影响的分析总结 | 第39-41页 |
| 第四章 常压二氧化硅工艺中其他因素对颗粒污染来源的分析 | 第41-50页 |
| 4.1 石英材质的晶舟与颗粒污染的机理分析 | 第41-42页 |
| 4.2 腔内温度及控温速率和气体流量设定产生颗粒污染的机制 | 第42-45页 |
| 4.3 工艺过程中保护气体管路颗粒污染的发生机制 | 第45-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 常压二氧化硅工艺颗粒污染的解决 | 第50-61页 |
| 5.1 晶舟结构的改进 | 第50-51页 |
| 5.2 晶舟载入时的速度，腔内设定温度，控温速率和气体流量的改进 | 第51-53页 |
| 5.3 工艺过程中保护气体参数的改进措施及实验结果 | 第53-55页 |
| 5.4 常压二氧化硅炉管工艺的综合改进方案及测试 | 第55-58页 |
| 5.5 工艺改进的产线检测分析 | 第58-61页 |
| 第六章 全文总结和展望 | 第61-62页 |
| 6.1 论文研究的结果及改善效果 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 附件 | 第67页 |
