| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 论文选题背景 | 第9-12页 |
| 1.2 有机半导体的电子结构 | 第12-16页 |
| 1.2.1 从单原子到固体电子结构的变化 | 第12-14页 |
| 1.2.2 有机固体中的能带及分子轨道 | 第14-15页 |
| 1.2.3 碳原子轨道的杂化 | 第15-16页 |
| 1.3 有机半导体的界面性质 | 第16-20页 |
| 1.3.1 金属和半导体中费米能 | 第16-18页 |
| 1.3.2 真空能接合 | 第18页 |
| 1.3.3 界面偶极子的形成 | 第18-19页 |
| 1.3.4 能带弯曲 | 第19-20页 |
| 1.4 MoO_3居间层在有机半导体器件中的应用 | 第20-21页 |
| 1.5 本文研究内容和章节安排 | 第21-22页 |
| 2 实验技术和设备 | 第22-33页 |
| 2.2 实验技术 | 第22-28页 |
| 2.2.1 X射线光电子能谱仪 | 第24页 |
| 2.2.2 紫外光电子能谱 | 第24-27页 |
| 2.2.3 反光电子能谱仪 | 第27-28页 |
| 2.2.4 表面分析探针可能造成的表面破坏 | 第28页 |
| 2.3 样品制备 | 第28-30页 |
| 2.3.1 薄膜沉积 | 第28-29页 |
| 2.3.2 逐层测量 | 第29-30页 |
| 2.3.3 表面清洁和UHV要求 | 第30页 |
| 2.4 实验仪器 | 第30-33页 |
| 2.4.1 光电子能谱仪系统 | 第31-32页 |
| 2.4.2 反光电子能谱仪系统 | 第32-33页 |
| 3 空气暴露下MOO_x薄膜的表面氧等离子体处理 | 第33-43页 |
| 3.1 概述 | 第33页 |
| 3.2 引言 | 第33-34页 |
| 3.3 薄膜的制备与表征 | 第34页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第34-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 C_(60)/TAPC/MOO_X/ITO界面电子结构演化和能级接合 | 第43-52页 |
| 4.1 概述 | 第43页 |
| 4.2 引言 | 第43-44页 |
| 4.3 实验方法 | 第44页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第44-51页 |
| 4.5 结论 | 第51-52页 |
| 5 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |