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溶胶—凝胶法制备Fe掺杂ZnO基稀磁半导体
储氢合金/Cr掺杂复合氧化物半导体电极的制备及其光电化学性能
有机电子传输材料聚集态结构的研究
溶胶凝胶法制备钴掺杂二氧化钛型稀磁半导体及其性能研究
ZnO及ZnMgO量子点的可控生长和性能研究
掺杂纳米多晶Si膜的低压化学气相沉积与电学特性研究
聚合物和半导体纳米材料的光学非线性的研究
半导体激光器驱动电源及其调控
碘化铅多晶合成与单晶生长研究
CdSe单晶体生长工艺与探测器性能研究
黄铜矿半导体砷化锗镉晶体的生长和密度泛函理论研究
单晶硅材料动态压痕试验系统的建立及试验研究
超薄SiO_xN_y膜的制备与结构特性研究
水热法合成ZnO基稀磁半导体材料
a-Si1-xCx：H薄膜的热壁LPCVD制备与结构特性研究
纤锌矿相GaN材料空穴输运特性的全带多粒子Monte Carlo模拟研究
H2/C2H2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究
等离子体增强化学气相沉积法制备氮化碳薄膜及其气相反应过程研究
CVD法低温合成纳米金刚石薄膜及其动力学研究
CH4/H2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究
碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析
BF2～+注入硅栅Si/SiO2系统低剂量率辐照效应的研究
碲锌镉单晶体生长及碲锌镉室温核辐射探测器制备
硒化镉（CdSe）单晶体生长及其室温核辐射探测器
表面修饰N型多孔硅的光致荧光特性
富硅二氧化硅薄膜的光致荧光特性研究
SiC材料和器件特性及其辐照效应的研究
Cd1-xZnxTe晶体的缺陷研究及退火改性
Ⅲ-N材料的RF Plasma MBE生长及物理研究
SOI关键参数的光学表征技术——理论研究及工程实用化
横向外延GaN材料的MOCVD生长与特性研究
氮对直拉硅单晶中氧化诱生层错的影响
用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长LiNbO3薄膜的研究
硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究
超高真空CVD外延生长SiGeC材料及性能研究
磷掺杂ZnO纳米材料的制备及性能研究
溶胶—凝胶法制备Zn1-xMgxO、Zn1-xMnxO薄膜及其发光性能研究
TFT-LCD制造中通过CVD与DE改善互连接触孔形状
n型SiCN薄膜的制备及其欧姆接触特性研究
在半导体制造中使用物理气相沉积代替化学气相沉积来生长氮化钛阻挡层
提高钨在半导体制造中填孔能力的研究
蓝色有机发光材料光电性能的理论研究及器件制备
InAlGaN材料系多量子阱结构电子学特性的研究
验证聚合物发光电化学池中p-n结的电流电压特性
氧化锌掺铁稀磁半导体的制备和性质研究
InP/GaAs、GaAs/Si、InP/GaAs/Si异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用
宽带隙半导体SiC、ZnO的同步辐射光电子能谱研究
外延Pb(Zr0.52Ti0.48)O3单晶薄膜的制备与性能研究
含硼（B）光电子材料的理论计算和实验研究
GaAs/Si和含B光电子材料异质外延生长的理论和实验研究
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