含硼（B）光电子材料的理论计算和实验研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·光电子集成的意义、背景和面临的困难 | 第10-11页 |
| ·光电子集成的途径 | 第11-17页 |
| ·大失配异质外延生长技术的现状和发展、以及不足 | 第12-16页 |
| ·晶片键合技术(Wafer Bonding) | 第16-17页 |
| ·光电子集成的另一个途径——发现新材料 | 第17-18页 |
| ·论文的结构安排 | 第18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第2章 BGaAs等材料的理论计算 | 第21-50页 |
| ·论基础 | 第21-30页 |
| ·晶胞组成介绍 | 第21-23页 |
| ·CASTEP的有关理论 | 第23-28页 |
| ·形成焓 | 第28-29页 |
| ·CASTEP仿真计算软件介绍 | 第29页 |
| ·Vegard的定理 | 第29-30页 |
| ·计算方法和计算过程 | 第30-34页 |
| ·建模方法 | 第31-32页 |
| ·计算方法的选择 | 第32-33页 |
| ·计算过程 | 第33-34页 |
| ·B的二元系材料的计算过程和结果 | 第34-37页 |
| ·BAs的有关性质 | 第35-36页 |
| ·BSb和BP的计算结果 | 第36-37页 |
| ·BInAs材料的计算 | 第37-44页 |
| ·晶格常数的计算 | 第37-38页 |
| ·能带的计算 | 第38-41页 |
| ·用8原子结构计算结果 | 第41-43页 |
| ·焓和总能量的计算 | 第43-44页 |
| ·BGaAs材料的计算 | 第44-48页 |
| ·能带和晶格常数 | 第45-46页 |
| ·焓和总能量的计算 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第3章 MOCVD生长设备的原理和相关的测试技术 | 第50-60页 |
| ·MOCVD生长技术 | 第50-54页 |
| ·MOCVD的原理 | 第50-54页 |
| ·XRD测试技术 | 第54-55页 |
| ·原理 | 第54页 |
| ·性能指标参数 | 第54-55页 |
| ·测试指标 | 第55页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)技术 | 第55-56页 |
| ·电子能谱(XPS)技术 | 第56-57页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第57-58页 |
| ·光致发光技术(PL谱) | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第4章 BGaAs、BlnGaAs材料的实验研究 | 第60-75页 |
| ·BGaAS异质外延生长和测试 | 第60-67页 |
| ·实验条件及方案 | 第60-62页 |
| ·实验数据的测量 | 第62-64页 |
| ·数据结果的分析 | 第64-66页 |
| ·总结 | 第66-67页 |
| ·BInGaAs的异质外延生长情况 | 第67-72页 |
| ·生长条件及测试结果 | 第67-71页 |
| ·实验数据分析结果 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第77页 |
