| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-15页 |
| ·半导体技术发展的重要方面和领域 | 第11-12页 |
| ·以Si为基础的微电子技术 | 第11页 |
| ·以GaAs和InP为基础的光电子技术 | 第11-12页 |
| ·GaN技术的兴起 | 第12页 |
| ·研究背景 | 第12-13页 |
| ·研究的可行性和本文工作 | 第13-15页 |
| 2 InAlGaN材料系量子阱电子学特性参数的研究 | 第15-27页 |
| ·二元系与四元系的物理参数关系 | 第15页 |
| ·四元系纤锌矿结构材料参数的研究 | 第15-22页 |
| ·二元系纤锌矿结构材料参数的确定 | 第15-16页 |
| ·三元系纤锌矿结构材料参数的分析 | 第16-20页 |
| ·四元系纤锌矿结构材料参数的确定 | 第20-22页 |
| ·四元系闪锌矿结构材料参数的研究 | 第22-27页 |
| 3 纤锌矿结构InAlGaN材料系量子阱的kp理论 | 第27-39页 |
| ·Bloch定理 | 第27-28页 |
| ·纤锌矿结构的k·p理论 | 第28-39页 |
| ·纤锌矿导带的Kane模型和有效质量 | 第28-29页 |
| ·纤锌矿结构价带哈密顿 | 第29-35页 |
| ·应变效应 | 第35-36页 |
| ·哈密顿矩阵的块对角化 | 第36-39页 |
| 4 闪锌矿结构InAlGaN材料系量子阱的kp理论 | 第39-45页 |
| ·闪锌矿结构导带的k·p理论 | 第39-40页 |
| ·闪锌矿结构价带的k·p理论 | 第40-45页 |
| ·价带哈密顿量 | 第40-43页 |
| ·哈密顿矩阵的块对角化 | 第43页 |
| ·价带本征值方程 | 第43-45页 |
| 5 InAlGaN材料系多量子阱结构电子学特性的仿真 | 第45-61页 |
| ·梯形数值微分法与特征方程的数值化 | 第45-48页 |
| ·非均匀网格划分 | 第48-50页 |
| ·非均匀网格划分的优点 | 第48-49页 |
| ·非均匀网格划分方法 | 第49-50页 |
| ·数值仿真计算 | 第50-61页 |
| ·纤锌矿InAlGaN材料系量子阱导带计算结果 | 第51-53页 |
| ·纤锌矿InAlGaN材料系量子阱价带计算结果 | 第53-61页 |
| 6 总结与展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 索引 | 第64-65页 |
| 作者简历 | 第65-67页 |
| 学位论文数据集 | 第67页 |
