当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
La0.70Ca0.30MnO3薄膜微结构及电输运特性的研究
氧化锌(ZnO)薄膜的制备及其性质的研究
脉冲激光沉积制备氧化锌纳米棒及其性质的研究
MOCVD异质外延硅基ZnO和SiC薄膜及其特性研究
PLD技术制备ZnO薄膜及其结构和发光性质研究
Si基SiC薄膜和低维SiO2的生长及其光致发光机理研究
通信光电子半导体材料异质兼容的理论与实验研究
动力学蒙特卡罗法仿真量子点生长过程的统计分析与参数优化
铋硅族氧化物BSO晶体波耦合特性的研究
Si/InP晶片低温键合技术的理论分析和实验研究
横向外延技术的理论分析与两步生长法的实验研究
基于磁控溅射技术的表面增强拉曼散射(SERS)基底制备及其特性研究
硅纳米材料的制备及其光学特性研究
应变锗材料的制备及其表征
一维半导体纳米材料及其电子和光电子器件研究
半导体材料和器件的微结构与微区应力的EBSD研究
P型GaN的Delta掺杂及表面粗化研究
一维二氧化锡纳米材料的合成、表征及其物性研究
CuInS2和Zn2x(CuIn)1-xS2合金化半导体纳米晶体的制备与表征
低维三五族半导体中的电子输运
添加剂PEG、Cl~-、SPS作用下的铜电结晶过程研究
石英晶片自动分选机的研究与开发
半导体金属硫化物ES(E=Pb,Cu,Zn,Cd)纳/微米材料的可控合成
ZnO薄膜p型掺杂及其相关问题研究
一维半导体纳米材料的制备与特性研究
多功能ZnO薄膜的制备与性能研究
Ⅲ-Ⅴ族量子结构材料生长及相关自旋电子学的研究
Hf基高k材料的物性表征
一维半导体纳米材料的制备与性能研究
ZnO薄膜的制备及其特性研究
利用金属过渡层键合Si/Si、Si/GaN的研究
P型SiC欧姆接触高温可靠性研究
CVD工艺制备二氧化锡纳米材料
介孔氧化锰及其复合材料在液晶模板中的制备及性能研究
有机硅表面修饰的SiO2及磁性粒子的制备、表征及吸附性能研究
二氧化钛光催化剂的制备和改性研究
含硅功能材料的制备与性质
多功能半导体材料测试仪的设计
自支撑GaN衬底的研究
连续及纳秒激光对砷化镓材料的损伤研究
高质量SnO2薄膜的制备及特性研究
热电材料NaCo2O4与其梯度材料、电极的制备及性能研究
脉冲激光沉积法制备β-FeSi2半导体薄膜的研究
Si1-xGex材料参数计算
低温等离子体增强电子束蒸发沉积TiN的研究
离子束轰击Si及SiC的计算机模拟
低能Si与Si(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟
环境半导体材料Ca2Si的制备及其光电特性研究
Ni、Cu掺杂ZnO基稀磁半导体块材样品的制备及磁性研究
ZnO荧光薄膜的制备与硫化研究
上一页
[39]
[40]
[41]
[42]
[43]
下一页