| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-42页 |
| §1.1 宽带隙半导体ZnO和SiC | 第13-22页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第13页 |
| ·ZnO的性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO的应用 | 第14-16页 |
| ·SiC的晶体结构和多型性 | 第16-18页 |
| ·SiC的性质 | 第18-20页 |
| ·SiC的应用 | 第20-22页 |
| §1.2 角分辨光电子能谱 | 第22-38页 |
| ·基本原理 | 第22-24页 |
| ·实验方法 | 第24-27页 |
| ·角分辨光电子能谱的最新进展 | 第27-31页 |
| ·同步辐射光电子能谱在宽带隙半导体研究中的应用 | 第31-38页 |
| §1.3 本论文的选题 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第二章 实验仪器设备和理论计算方法 | 第42-56页 |
| §2.1 实验仪器设备 | 第43-47页 |
| ·NSRL表面物理光束线和实验站 | 第43-45页 |
| ·SSLS表面、界面及纳米结构科学光束线和实验站 | 第45-47页 |
| §2.2 理论计算方法 | 第47-53页 |
| ·第一性原理方法简介 | 第48-49页 |
| ·第一性原理方法的应用 | 第49-50页 |
| ·全势线性缀加平面波方法原理简介 | 第50-53页 |
| ·WIEN2K程序包简介 | 第53页 |
| §2.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 SiC表面和界面的同步辐射光电子能谱研究 | 第56-86页 |
| §3.1 SiC重构表面的角分辨光电子能谱研究 | 第57-69页 |
| ·前言 | 第57-59页 |
| ·实验介绍 | 第59-60页 |
| ·实验结果和讨论 | 第60-68页 |
| ·本节小结 | 第68-69页 |
| §3.2 Mn/SiC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究 | 第69-75页 |
| ·前言 | 第69页 |
| ·实验介绍 | 第69-70页 |
| ·实验结果和讨论 | 第70-74页 |
| ·本节小结 | 第74-75页 |
| §3.3 C_(60)/Si(111)界面及SiC形成的光电子能谱研究 | 第75-81页 |
| ·前言 | 第75页 |
| ·实验介绍 | 第75-76页 |
| ·实验结果和讨论 | 第76-80页 |
| ·本节小结 | 第80-81页 |
| §3.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 第四章 ZnO同步辐射光电发射及氢掺杂缺陷态的理论研究 | 第86-110页 |
| §4.1 ZnO(0001)表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究 | 第86-94页 |
| ·前言 | 第86-87页 |
| ·实验介绍和理论计算方法 | 第87-89页 |
| ·实验结果和讨论 | 第89-93页 |
| ·本节小结 | 第93-94页 |
| §4.2 ZnO表面极性的X射线光电子衍射研究 | 第94-99页 |
| ·光电子衍射技术简介 | 第94-95页 |
| ·实验介绍和理论计算方法 | 第95-96页 |
| ·实验结果和讨论 | 第96-98页 |
| ·本节小结 | 第98-99页 |
| §4.3 氢掺杂ZnO缺陷态的理论研究 | 第99-105页 |
| ·前言 | 第99页 |
| ·缺陷形成能计算方法 | 第99-103页 |
| ·缺陷态局域振动模式 | 第103-105页 |
| ·本节小结 | 第105页 |
| §4.4 本章小结 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 发表论文 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112页 |
