| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| ·研究的背景和意义 | 第14-18页 |
| ·论文的结构安排 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-21页 |
| 第二章 大失配外延技术及晶体质量测试方法 | 第21-46页 |
| ·大失配异质外延的技术现状 | 第21-30页 |
| ·缓冲层技术 | 第22-24页 |
| ·柔性衬底技术 | 第24-29页 |
| ·选区外延技术 | 第29-30页 |
| ·金属有机化学气相沉积外延技术 | 第30-32页 |
| ·晶体生长质量的测试方法 | 第32-40页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第33-35页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第35-37页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第37-39页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-46页 |
| 第三章 InP/GaAs(100)异质外延生长技术的研究 | 第46-67页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·低温缓冲层法InP/GaAs的异质外延生长 | 第47-52页 |
| ·单层低温缓冲层法 | 第47-50页 |
| ·低温InP缓冲层与正常外延层的形貌关系 | 第50-52页 |
| ·应变超晶格在InP/GaAs异质外延生长中的应用 | 第52-63页 |
| ·InP/Ga_xIn_(1-x)P应变超品格的生长 | 第54-56页 |
| ·Ga_(0.1)In_(0.9)P/InP SLS对InP/GaAs异质外延晶体的影响 | 第56-61页 |
| ·关于SLS方法InP/GaAs外延的应用 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第四章 InP/GaAs单片集成器件的制作 | 第67-98页 |
| ·单片集成"一镜斜置三镜腔"光探测器 | 第67-85页 |
| ·"一镜斜置三镜腔"光探测器的提出 | 第67-73页 |
| ·单片集成"一镜斜置三镜腔光探测器"的外延、制备 | 第73-78页 |
| ·长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器的测试 | 第78-85页 |
| ·关于楔形衬底的双波长探测现象的讨论和应用 | 第85-93页 |
| ·楔形衬底的双波长探测器的设计 | 第85-88页 |
| ·楔形衬底的双波长探测器的制备和测试 | 第88-92页 |
| ·应用讨论 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第五章 GaAs/Si和InP/GaAs/Si异质外延及其器件制作 | 第98-128页 |
| ·引言 | 第98-100页 |
| ·热失配导致的应变和应力分布模型 | 第100-105页 |
| ·基于低温缓冲层法的Si(100)4°衬底的GaAs异质外延生长 | 第105-111页 |
| ·GaAs/Si(100)4°生长的实验方案 | 第106-107页 |
| ·实验测试结果与讨论 | 第107-109页 |
| ·基于Al(GaAs)As缓冲层的GaAs/Si(100)4°生长的实验方案 | 第109-111页 |
| ·基于刻槽工艺的mid-patternGaAs/Si外延技术 | 第111-116页 |
| ·问题的提出 | 第111-113页 |
| ·基于刻槽技术的mid-pattern外延实验 | 第113-116页 |
| ·InP/GaAs/Si外延及Si基波长选择性、长波长探测器的实现 | 第116-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-128页 |
| 第六章 总结 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-132页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和申请专利 | 第132页 |
