当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计
溴化铊探测器晶片表面化学处理和欧姆电极研究
几种典型压电半导体结构中的力—电—载流子耦合作用分析
Al/Ga共掺ZnO纳米阵列光学性质的研究
单晶硅的超声波辅助振动磨削
表面缺陷结构对硅基材料大气等离子体抛光质量的影响研究
多晶硅提纯与冷坩埚定向凝固过程的温度场和应力场研究
公自转系统同步控制研究
纳米压印设备的优化改进
Sb2Se3薄膜的制备及光电性质的研究
Al纳米粒子对ZnO薄膜光致发光特性影响的研究
6H-SiC载流子双极输运动力学的瞬态光栅实验研究
单晶硅表面修饰及其纳米力学行为研究
静水压力下氧化亚铜电子结构的理论研究
单层MoS2热学性能的第一性原理研究
Cu2CdSnSe4化合物的合成及热电性能研究
基于MSP430的半导体器件测试设备的设计
硫化铋及其复合物的制备及特性研究
MOVPE生长GaN的表面反应研究
SnO2薄膜的反应磁控溅射制备工艺、光学性能及多孔微观结构研究
低维宽带隙Ⅱ-Ⅵ半导体材料的制备及性能的研究
Fe、Co掺杂ZnO稀磁半导体第一性原理研究
MOCVD法ZnO薄膜生长及其紫外探测器的制备与初步研究
QFN封装电磁屏蔽用化学镀Cu的研究
集成电路用直拉单晶硅力学性能
大功率自动调配器新型校准方法及负载牵引测试的研究
MOCVD生长氮化镓的KMC微观模拟
PMOCVD的计算流体动力学研究
压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴散射与迁移率模型
双沟道掺杂及多沟道AlGaN/GaN异质结材料特性研究
N面GaN材料的生长特性研究及优化
AlN/GaN数字合金势垒类AlGaN/GaN异质结研究
AlInGaN/AlGaN/GaN异质结构的设计与生长
4H-SiC低压同质外延生长的研究
基于磁控溅射AlN上的GaN材料MOCVD外延生长研究
具有多凹陷源/漏漂移区的4H-SiC MESFETs设计与仿真
基于Geant4的硅材料辐照损伤模拟研究
应变ZnO能带结构研究
SOI器件的辐照效应及电路加固技术的研究
SiC同质外延炉温序列的统计过程控制研究
亚微米BaTiO3 X7R MLC细晶陶瓷介质材料的介电性能研究
大规模集成电路用直拉硅单晶的缺陷工程
4H-SiC BJT功率器件特性及结终端技术研究
植入式柔性神经微电极纳米改性研究
4H-SiC外延生长原位刻蚀工艺的研究
GaN材料应变沿表面法线分布信息的XRD测量方法研究
氮离子注入对4H-SiC MOS系统界面特性的影响
超晶格AlGaN沟道异质结特性研究
芯片厂中制造执行系统的发展与优化
40纳米镜硅化物工艺研究
上一页
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
下一页