| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-18页 |
| 1.2 研究现状和发展 | 第18页 |
| 1.3 本论文的主要工作和内容安排 | 第18-21页 |
| 第二章 SiC的掺杂和氧化 | 第21-29页 |
| 2.1 SiC的掺杂 | 第21-22页 |
| 2.2 二氧化硅薄膜 | 第22页 |
| 2.3 SiC热氧化基础 | 第22-25页 |
| 2.3.1 SiC的氧化工艺 | 第22-23页 |
| 2.3.2 SiC的热氧化机理一氧化动力学 | 第23-25页 |
| 2.4 二氧化硅薄膜的表征方法 | 第25-29页 |
| 2.4.1 椭圆偏振光法 | 第25-26页 |
| 2.4.2 原子力显微镜AFM | 第26-27页 |
| 2.4.3 Hg探针高频C-V | 第27-29页 |
| 第三章 SiC/SiO_2界面特性 | 第29-39页 |
| 3.1 MOS系统中电荷的构成 | 第29页 |
| 3.2 SiC MOS电容的C-V特性 | 第29-36页 |
| 3.2.1 理想MOS的CV曲线 | 第30-32页 |
| 3.2.2 SiC MOS电容的平带电压以及计算 | 第32页 |
| 3.2.3 SiC MOS电容结构的界面态密度以及计算 | 第32-36页 |
| 3.3 提高SiO_2/SiC界面特性的研究 | 第36-39页 |
| 第四章 实验设计和测试 | 第39-55页 |
| 4.1 样品制备 | 第39-43页 |
| 4.1.1 清洗 | 第39页 |
| 4.1.2 离子注入基础和SRIM软件 | 第39-40页 |
| 4.1.3 离子注入实验设计 | 第40-42页 |
| 4.1.4 氧化和退火实验 | 第42-43页 |
| 4.2 离子注入高能量的样品的测试及分析 | 第43-49页 |
| 4.2.1 椭偏测试及分析 | 第43页 |
| 4.2.2 AFM测试及分析 | 第43-45页 |
| 4.2.3 C-V测试及分析 | 第45-49页 |
| 4.3 离子注入低能量的样品的测试及分析 | 第49-52页 |
| 4.3.1 椭偏测试及分析 | 第49-50页 |
| 4.3.2 AFM测试及分析 | 第50页 |
| 4.3.3 C-V测试及分析 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-55页 |
| 第五章 总结和展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 作者简介 | 第63-64页 |
| 1. 基本情况 | 第63页 |
| 2. 教育背景 | 第63页 |
| 3. 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第63-64页 |