| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 第三代半导体材料——GaN | 第16-18页 |
| 1.1.1 GaN材料的特性 | 第16-17页 |
| 1.1.2 GaN材料的结构 | 第17-18页 |
| 1.2 N面GaN材料 | 第18-24页 |
| 1.2.1 N面GaN的极化效应 | 第18-20页 |
| 1.2.2 N面GaN中的杂质结合 | 第20-21页 |
| 1.2.3 N面GaN材料的表面特性 | 第21-22页 |
| 1.2.4 N面GaN基材料的应用 | 第22-24页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 N面GaN的外延技术及表征 | 第26-36页 |
| 2.1 N面GaN的MOCVD外延生长技术 | 第26-28页 |
| 2.1.1 MOCVD系统简介 | 第26-27页 |
| 2.1.2 N面GaN的生长 | 第27-28页 |
| 2.2 N面GaN材料的光学表征 | 第28-32页 |
| 2.2.1 光致发光测试原理 | 第28-29页 |
| 2.2.2 高分辨率X射线衍射测试原理 | 第29-32页 |
| 2.3 N面GaN的表面表征——原子力显微镜（AFM） | 第32-33页 |
| 2.4 N面GaN材料的电学特性表征——范德堡霍尔效应测试 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 N面GaN成核层的研究及优化 | 第36-50页 |
| 3.1 不同极性成核层的对比 | 第36-40页 |
| 3.1.1 AlN成核层表面特性的差异 | 第36-39页 |
| 3.1.2 AlN成核层螺位错密度的差异 | 第39-40页 |
| 3.2 N面GaN材料成核层的优化 | 第40-49页 |
| 3.2.1 两步成核层对表面形貌的影响 | 第41-44页 |
| 3.2.2 两步成核层对AlN结晶质量的影响 | 第44页 |
| 3.2.3 两步成核生长法对GaN结晶质量的影响 | 第44-47页 |
| 3.2.4 两步成核层对杂质浓度的影响 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小节 | 第49-50页 |
| 第四章 N面GaN外延层的研究及优化 | 第50-72页 |
| 4.1 N面GaN生长过程中各项特性的变化研究 | 第50-57页 |
| 4.1.1 位错密度的变化 | 第50-53页 |
| 4.1.2 应力的变化 | 第53-55页 |
| 4.1.3 C杂质浓度的变化 | 第55-57页 |
| 4.2 超低温GaN插入层 | 第57-66页 |
| 4.2.1 超低温GaN插入层对位错的影响 | 第58-64页 |
| 4.2.2 超低温GaN插入层对GaN表面形貌的影响 | 第64-66页 |
| 4.3 超薄AlN插入层 | 第66-71页 |
| 4.3.1 超薄AlN插入层对位错的影响 | 第67-69页 |
| 4.3.2 超薄AlN插入层对GaN表面形貌的影响 | 第69-71页 |
| 4.4 本章小节 | 第71-72页 |
| 第五章 总结 | 第72-76页 |
| 5.1 本文总结 | 第72-73页 |
| 5.2 本文存在的不足 | 第73页 |
| 5.3 展望 | 第73-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |
