| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 GaN基HEMT的主要特点 | 第15-16页 |
| 1.2 常规GaN材料与器件的研究历程 | 第16-19页 |
| 1.3 AlN/GaN数字合金势垒类AlGaN/GaN HEMT研究进展 | 第19-22页 |
| 1.4 本文主要研究工作 | 第22-25页 |
| 第二章 异质结构原理及表征方法 | 第25-37页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结构理论基础 | 第25-28页 |
| 2.1.1 Ⅲ族氮化物异质结构形成原理 | 第25-26页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结构的极化特性 | 第26-28页 |
| 2.2 GaN材料的制备 | 第28-30页 |
| 2.2.1 GaN材料的制备方法 | 第28-29页 |
| 2.2.2 GaN制备过程中所用的不同衬底 | 第29-30页 |
| 2.3 材料表征与测试方法 | 第30-35页 |
| 2.3.1 高分辨率XRD表征方法 | 第30-33页 |
| 2.3.2 范得堡Hall测试 | 第33-34页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 数字合金势垒类AlGaN/GaN异质结生长 | 第37-49页 |
| 3.1 AlN/GaN数字合金势垒类AlGaN/GaN HEMT的制备 | 第37-38页 |
| 3.2 不同金属源流量数字合金势垒异质结构生长研究 | 第38-44页 |
| 3.2.1 不同金属源流量数字合金势垒异质结构XRD测试结果分析 | 第39-41页 |
| 3.2.2 不同金属源流量数字合金势垒异质结构电学特性分析 | 第41-42页 |
| 3.2.3 不同金属源流量数字合金势垒异质结构材料表面形貌分析 | 第42-44页 |
| 3.3 插入层和帽层对数字合金势垒异质结构材料特性的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.1 插入层和帽层对数字合金AlGaN势垒层结晶质量的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.2 插入层和帽层对数字合金势垒异质结构电学特性的影响 | 第45-46页 |
| 3.3.3 插入层和帽层对数字合金势垒异质结构表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 温度对数字合金势垒异质结构外延生长的影响 | 第49-61页 |
| 4.1 不同温度下数字合金势垒异质结构生长 | 第49-56页 |
| 4.1.1 数字合金势垒异质结构样片XRD测试结果分析 | 第49-52页 |
| 4.1.2 温度对数字合金势垒异质结构势垒层生长速率的影响 | 第52-54页 |
| 4.1.3 温度对AlN/GaN数字合金势垒异质结构表面形貌的影响 | 第54-56页 |
| 4.2 AlN/GaN数字合金势垒异质结与常规AlGaN/GaN异质结比较 | 第56-60页 |
| 4.2.1 数字合金异质结构和常规异质结构XRD测试结果分析 | 第56-58页 |
| 4.2.2 数字合金异质结构和常规异质结构电学特性比较 | 第58-59页 |
| 4.2.3 数字合金势垒异质结和常规AlGaN势垒异质结表面形貌比较 | 第59-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论和展望 | 第61-63页 |
| 5.1 研究结论 | 第61-62页 |
| 5.2 研究展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71页 |
