| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 GaN材料的研究意义 | 第11-14页 |
| 1.1.1 半导体材料的发展 | 第11-12页 |
| 1.1.2 GaN材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.1.3 GaN材料现状 | 第13-14页 |
| 1.2 GaN材料的制备及材料的应力 | 第14-17页 |
| 1.2.1 GaN材料的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.2.2 GaN材料的应变产生及影响 | 第16-17页 |
| 1.3 应变的表征 | 第17-18页 |
| 1.4 论文的主要工作和内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 GaN应变理论基础及相关表征技术 | 第19-31页 |
| 2.1 GaN材料中应变的计算方法 | 第19-24页 |
| 2.1.1 外延层应变随材料厚度的变化 | 第19-20页 |
| 2.1.2 极性面GaN晶格应变计算方法 | 第20-22页 |
| 2.1.3 非极性面GaN晶格应变计算方法 | 第22-24页 |
| 2.2 HRXRD原理及三轴晶HRXRD | 第24-26页 |
| 2.2.1 晶体对X射线平面波的衍射 | 第24-25页 |
| 2.2.2 HRXRD扫描方式 | 第25页 |
| 2.2.3 三轴HRXRD原理 | 第25-26页 |
| 2.3 变深度HRXRD | 第26-27页 |
| 2.3.1 衍射几何 | 第26-27页 |
| 2.3.2 变深度HRXRD测量方法 | 第27页 |
| 2.4 拉曼光谱仪 | 第27-31页 |
| 第三章极性面GaN应变沿材料表面法线分布信息的测量 | 第31-45页 |
| 3.1 应变沿表面法线分布信息的测量原理 | 第31-32页 |
| 3.2 c面蓝宝石衬底上GaN外延层的测量 | 第32-38页 |
| 3.2.1 c面蓝宝石衬底上Ga面GaN材料的制备 | 第33页 |
| 3.2.2 基于传统HRXRD衍射技术的应变测量方法 | 第33-34页 |
| 3.2.3 应变沿表面法线分布信息的测量与结果分析 | 第34-38页 |
| 3.3 Si（111）衬底上c面GaN外延层的测量 | 第38-41页 |
| 3.3.1 Si（111）衬底上c面GaN材料的制备 | 第38-39页 |
| 3.3.2 应变沿材料表面法线分布信息的测量与分析 | 第39-41页 |
| 3.4 立方晶系的晶体中应变的测量 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章非极性面GaN应变沿材料表面法线分布信息的测量 | 第45-55页 |
| 4.1 非极性面GaN材料简介 | 第45-46页 |
| 4.2 非极性面GaN应变沿表面法线分布信息的测量原理 | 第46-48页 |
| 4.2.1 a面GaN应变的测量原理 | 第46-47页 |
| 4.2.2 m面GaN应变的测量原理 | 第47-48页 |
| 4.3 a面GaN材料中应变沿表面法线分布信息的测量 | 第48-54页 |
| 4.3.1 r面蓝宝石是a面GaN材料的制备 | 第48页 |
| 4.3.2 应变沿材料表面法线分布信息的测量与解析 | 第48-52页 |
| 4.3.3 影响解析结果的因素的分析 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 作者简介 | 第61-62页 |
| 1. 基本情况 | 第61页 |
| 2. 教育背景 | 第61页 |
| 3. 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第61-62页 |
| 3.1 发表论文情况 | 第61页 |
| 3.2 发明专利情况 | 第61-62页 |
