溴化铊探测器晶片表面化学处理和欧姆电极研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 室温半导体核辐射探测器概述 | 第9-13页 |
| 1.3 TlBr探测器的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 课题立题依据及论文内容安排 | 第14-16页 |
| 2 TlBr晶体生长 | 第16-26页 |
| 2.1 晶体生长方法介绍 | 第16-19页 |
| 2.2 熔体法晶体生长理论分析 | 第19-21页 |
| 2.3 电控动态梯度法（EDG）生长TlBr单晶 | 第21-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 TlBr晶片的表面处理 | 第26-46页 |
| 3.1 半导体表面理论 | 第26-29页 |
| 3.2 TlBr晶体的切割与研磨 | 第29-30页 |
| 3.3 TlBr晶片的机械抛光 | 第30-31页 |
| 3.4 TlBr晶片的化学抛光 | 第31-43页 |
| 3.5 TlBr晶片的表面化学抛光机理研究 | 第43-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 欧姆电极的制备 | 第46-54页 |
| 4.1 电极材料的选择 | 第46-47页 |
| 4.2 欧姆电极制备 | 第47-48页 |
| 4.3 TlBr晶片性能测试 | 第48-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 本文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 附录1 攻读硕士期间发表的论文 | 第63页 |
