| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 SOI的主流技术 | 第18-20页 |
| 1.2.1 注氧隔离技术 | 第19页 |
| 1.2.2 薄层转移技术 | 第19-20页 |
| 1.3 SOI技术的特点 | 第20-21页 |
| 1.4 SOI技术发展的新动向 | 第21-22页 |
| 1.5 SOI技术存在的问题 | 第22-24页 |
| 1.5.1 浮体效应 | 第22-23页 |
| 1.5.2 自加热效应 | 第23-24页 |
| 1.5.3 寄生双极管效应[12] | 第24页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 SOI器件总剂量辐照效应的研究 | 第27-35页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 MOS结构的总剂量效应 | 第27-31页 |
| 2.2.1 辐照感生界面陷阱电荷 | 第28-29页 |
| 2.2.2 辐照感生氧化层陷阱电荷 | 第29-30页 |
| 2.2.3 辐照在MOS晶体管中的影响 | 第30-31页 |
| 2.3 总剂量在PD SOI和FD SOI中的影响 | 第31-32页 |
| 2.3.1 PD SOI的总剂量辐照效应 | 第31-32页 |
| 2.3.2 FD SOI的总剂量辐照效应 | 第32页 |
| 2.4 SOI器件的抗辐照加固 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 三栅SOI FINFET结构的总剂量辐照仿真 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 仿真软件的介绍和三栅SOI FINFET的建模 | 第35-37页 |
| 3.2.1 仿真软件ISE-TCAD的介绍 | 第35-36页 |
| 3.2.2 三栅SOI FINFET在软件中的建模 | 第36-37页 |
| 3.3 三栅SOI FINFET器件的总剂量辐照仿真研究 | 第37-46页 |
| 3.3.1 三栅SOI FINFET器件阈值电压的建模 | 第37-40页 |
| 3.3.2 不同的FIN区宽度对总剂量辐照效应的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.3 不同的FIN高度对总剂量辐照效应的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.4 不同栅结构对总剂量辐照效应的影响 | 第42-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 反相器和环形振荡器的总剂量辐照仿真研究 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 反相器的总剂量辐照仿真及其抗辐照电路的设计研究 | 第49-55页 |
| 4.2.1 总剂量辐照效应对反相器的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.2 常规CMOS反相器的仿真 | 第50-52页 |
| 4.2.3 抗辐照反相器的设计及仿真 | 第52-55页 |
| 4.3 环形振荡器及其加固电路的设计和仿真 | 第55-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59页 |
| 5.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 作者简介 | 第67-68页 |
