| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 侧向光伏效应 | 第10-18页 |
| 1.2.1 侧向光伏效应概述 | 第10-13页 |
| 1.2.2 侧向光伏理论研究进展 | 第13-18页 |
| 1.2.3 侧向光伏效应的应用 | 第18页 |
| 1.3 光诱导电致阻变简介 | 第18-19页 |
| 1.4 硒化锑简介 | 第19-21页 |
| 1.4.1 硒化锑的特点 | 第19-20页 |
| 1.4.2 国内外研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文研究内容及研究目的 | 第21-23页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第21-22页 |
| 1.5.2 研究目的 | 第22-23页 |
| 第2章 Sb_2Se_3薄膜的制备和表征 | 第23-30页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 Sb_2Se_3薄膜的制备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积 | 第23-24页 |
| 2.2.2 Sb_2Se_3靶材的制备 | 第24页 |
| 2.2.3 Sb_2Se_3薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 Sb_2Se_3薄膜的表征 | 第25-29页 |
| 2.3.1 Sb_2Se_3薄膜的XRD表征 | 第25-26页 |
| 2.3.2 Sb_2Se_3薄膜的Raman表征 | 第26-27页 |
| 2.3.3 Sb_2Se_3薄膜的XPS表征 | 第27-28页 |
| 2.3.4 Sb_2Se_3薄膜的SEM表征 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 不同类型Si/Sb_2Se_3结构中侧向光伏对比研究 | 第30-41页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 薄膜的制备 | 第30-32页 |
| 3.2.1 基底的清洗 | 第30页 |
| 3.2.2 薄膜的生长 | 第30-31页 |
| 3.2.3 样品的制备 | 第31-32页 |
| 3.3 不同类型Si基底对Sb_2Se_3薄膜侧向光伏的影响 | 第32-36页 |
| 3.4 理论解释 | 第36-40页 |
| 3.4.1 能带结构 | 第36页 |
| 3.4.2 P型Si/Sb_2Se_3结构侧向光伏解释 | 第36-39页 |
| 3.4.3 不同类型基底侧向光伏解释 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 P-Si/Sb_2Se_3结构中侧向光伏的研究 | 第41-49页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 Sb_2Se_3薄膜厚度对Si/Sb_2Se_3结构侧向光伏的影响 | 第41-45页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第41页 |
| 4.2.2 侧向光伏测试 | 第41-43页 |
| 4.2.3 时间分辨测试 | 第43-44页 |
| 4.2.4 理论解释 | 第44-45页 |
| 4.3 电极间距对Si/Sb_2Se_3结构侧向光伏的影响 | 第45-48页 |
| 4.3.1 侧向光伏测试 | 第46页 |
| 4.3.2 时间分辨测试 | 第46-47页 |
| 4.3.3 理论解释 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 P-Si/Sb_2Se_3结构中光诱导电致阻变的研究 | 第49-56页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 样品的制备 | 第49-50页 |
| 5.3 光诱导电致阻变测试 | 第50-54页 |
| 5.4 光诱导电致阻变解释 | 第54页 |
| 5.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
