| 第1章 前言 | 第11-16页 |
| 第2章 直拉硅的生长技术及其微缺陷研究现状的综述 | 第16-42页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 直拉单晶硅的生长技术 | 第17-23页 |
| 2.3 氧沉淀 | 第23-31页 |
| 2.4 空洞型缺陷 | 第31-40页 |
| 2.5 研究中存在的问题 | 第40-42页 |
| 第3章 实验方法 | 第42-46页 |
| 3.1 杂质在直拉硅生长中的基本性质及对位错产生行为的影响 | 第42-43页 |
| 3.2 掺杂直拉硅中氧沉淀和空洞型缺陷的研究 | 第43-46页 |
| 第4章 杂质在直拉硅生长过程中的行为及对位错的影响 | 第46-57页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 氮、硼在直拉硅生长过程中的挥发和分凝行为 | 第47-51页 |
| 4.2.1 硅中氮浓度的红外测量技术 | 第47-48页 |
| 4.2.2 氮在直拉硅生长过程中的挥发和分凝行为 | 第48-50页 |
| 4.2.3 重掺硼在直拉硅生长过程中的挥发和分凝行为 | 第50-51页 |
| 4.3 高强度掺杂籽晶在晶体生长引晶过程中位错的产生行为 | 第51-56页 |
| 4.3.1 高强度掺杂籽晶对热冲击位错的抑制能力 | 第51-52页 |
| 4.3.2 无缩颈生长技术中失配位错的消除 | 第52-53页 |
| 4.3.3 高强度掺杂籽晶的无缩颈生长技术的机理 | 第53-54页 |
| 4.3.4 热循环对高强度掺杂籽晶无缩颈生长技术的影响 | 第54-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 第5章 大直径掺氮直拉硅中的氧沉淀 | 第57-87页 |
| 5.1 引言 | 第57-58页 |
| 5.2 原生氧沉淀 | 第58-62页 |
| 5.2.1 溶解和生成行为 | 第58页 |
| 5.2.2 尺寸分布 | 第58-60页 |
| 5.2.3 微观结构 | 第60-62页 |
| 5.3 氮对氧沉淀低温形核的影响 | 第62-67页 |
| 5.3.1 氮氧复合体 | 第62-63页 |
| 5.3.2 低温形核行为 | 第63-66页 |
| 5.3.3 低温退火中氮关复合体的红外吸收峰变化 | 第66-67页 |
| 5.4 氮在高温下对氧沉淀的影响 | 第67-70页 |
| 5.4.1 氧沉淀的高温退火性质 | 第67-69页 |
| 5.4.2 高温退火中氮关复合体的红外吸收峰变化 | 第69-70页 |
| 5.5 氮在不同缺陷区对氧沉淀的影响 | 第70-73页 |
| 5.5.1 OSF的性质 | 第70-71页 |
| 5.5.2 退火性质 | 第71-73页 |
| 5.6 氮促进氧沉淀的机理 | 第73-75页 |
| 5.6.1 氮在高温下促进氧沉淀形核的机理 | 第73-74页 |
| 5.6.2 氮低温促进氧沉淀形核的机理 | 第74-75页 |
| 5.6.3 氮在不同缺陷区影响氧沉淀的机理 | 第75页 |
| 5.7 内吸杂工艺的研究 | 第75-83页 |
| 5.7.1 洁净区的形成 | 第76-81页 |
| 5.7.2 对重金属内吸杂能力的研究 | 第81-83页 |
| 5.8 RTP在掺氮直拉硅片中的应用 | 第83-85页 |
| 5.9 小结 | 第85-87页 |
| 第6章 大直径重掺硼直拉硅中的氧沉淀 | 第87-100页 |
| 6.1 引言 | 第87-88页 |
| 6.2 重掺硼对直拉硅中氧浓度的影响 | 第88页 |
| 6.3 重掺硼在低温下对氧沉淀形核的影响 | 第88-90页 |
| 6.4 重掺硼在高温下对氧沉淀形核的影响 | 第90-92页 |
| 6.5 硼浓度对氧沉淀的影响 | 第92-93页 |
| 6.6 重掺硼影响氧沉淀的机理 | 第93-94页 |
| 6.7 内吸杂工艺的研究 | 第94-96页 |
| 6.7.1 洁净区的形成 | 第94-95页 |
| 6.7.2 对重金属Cr吸杂能力的实验研究 | 第95-96页 |
| 6.8 RTP对重掺硼硅中氧沉淀和洁净区的影响 | 第96-98页 |
| 6.9 小结 | 第98-100页 |
| 第7章 大直径掺锗直拉硅中的氧沉淀 | 第100-112页 |
| 7.1 引言 | 第100页 |
| 7.2 原生氧沉淀 | 第100-102页 |
| 7.3 锗对氧沉淀低温形核的影响 | 第102-106页 |
| 7.3.1 热施主的生成行为 | 第102-103页 |
| 7.3.2 低温形核行为 | 第103-106页 |
| 7.4 锗对氧沉淀高温形核的影响 | 第106-107页 |
| 7.5 锗促进氧沉淀的机理 | 第107页 |
| 7.6 洁净区的形成 | 第107-111页 |
| 7.6.1 氧的外扩散 | 第107-108页 |
| 7.6.2 常规内吸杂退火 | 第108-110页 |
| 7.6.3 高温单步退火 | 第110-111页 |
| 7.6.4 RTP对洁净区的影响 | 第111页 |
| 7.7 小结 | 第111-112页 |
| 第8章 大直径掺氮直拉硅中的空洞型缺陷 | 第112-126页 |
| 8.1 引言 | 第112-113页 |
| 8.2 流动图形缺陷的显示及其机理 | 第113-115页 |
| 8.3 原生空洞型缺陷的分布 | 第115-118页 |
| 8.3.1 COP的分布 | 第115-117页 |
| 8.3.2 FPD的分布 | 第117-118页 |
| 8.4 空洞型缺陷的退火性质 | 第118-121页 |
| 8.4.1 COP的退火性质 | 第118-120页 |
| 8.4.2 FPD的退火性质 | 第120页 |
| 8.4.3 Void消除的机理 | 第120-121页 |
| 8.5 空洞型缺陷的消除与氧沉淀的关系 | 第121-123页 |
| 8.6 掺氮对空洞型缺陷影响的机理 | 第123-124页 |
| 8.7 小结 | 第124-126页 |
| 第9章 大直径重掺硼直拉硅中的空洞型缺陷 | 第126-132页 |
| 9.1 引言 | 第126-127页 |
| 9.2 流动图形缺陷 | 第127-128页 |
| 9.3 晶体原生粒子 | 第128-130页 |
| 9.3.1 原生COP的分布 | 第128-129页 |
| 9.3.2 COP的退火性质 | 第129-130页 |
| 9.4 重掺硼影响空洞型缺陷的机理 | 第130-131页 |
| 9.5 小结 | 第131-132页 |
| 第10章 大直径掺锗直拉硅中的空洞型缺陷 | 第132-137页 |
| 10.1 引言 | 第132页 |
| 10.2 流动图形缺陷 | 第132-134页 |
| 10.2.1 原生FPD的分布 | 第132-133页 |
| 10.2.2 FPD的退火性质 | 第133-134页 |
| 10.3 晶体原生粒子 | 第134-135页 |
| 10.3.1 原生COP的分布 | 第134-135页 |
| 10.3.2 COP的退火性质 | 第135页 |
| 10.4 掺锗对空洞型缺陷影响的机理 | 第135-136页 |
| 10.5 小结 | 第136-137页 |
| 第11章 杂质在大直径直硅中影响原生缺陷的机理探讨 | 第137-146页 |
| 11.1 引言 | 第137-138页 |
| 11.2 杂质对原生氧沉淀的影响 | 第138-141页 |
| 11.2.1 高温下原生氧沉淀异质核心的形成 | 第138-140页 |
| 11.2.2 低温下原生氧沉淀异质核心的形成 | 第140-141页 |
| 11.3 原生氧沉淀对空位型缺陷形成的影响 | 第141-143页 |
| 11.3.1 对OSF环的影响 | 第141页 |
| 11.3.2 对空洞型缺陷的影响 | 第141-143页 |
| 11.4 杂质影响原生缺陷形成的模型 | 第143-144页 |
| 11.5 杂质在缺陷工程中应用的原理 | 第144-145页 |
| 11.6 小结 | 第145-146页 |
| 第12章 总结 | 第146-149页 |
| 参考文献 | 第149-157页 |
| 致谢 | 第157-158页 |
| 附录 | 第158-159页 |
