| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 GaN材料及器件介绍 | 第13-18页 |
| 1.1.1 GaN材料及器件的发展历程 | 第13-14页 |
| 1.1.2 GaN材料的性质 | 第14-16页 |
| 1.1.3 GaN材料的应用 | 第16-18页 |
| 1.2 AlGaN材料及AlGaN沟道HEMT器件介绍 | 第18-22页 |
| 1.2.1 AlGaN材料背景介绍 | 第18-20页 |
| 1.2.2 AlGaN/AlGaN异质结及其HEMT器件的发展 | 第20-22页 |
| 1.3 本文工作介绍及章节安排 | 第22-25页 |
| 第二章 GaN基异质结相关理论基础及表征手段 | 第25-33页 |
| 2.1 GaN基异质结理论基础介绍 | 第25-28页 |
| 2.1.1 GaN基异质结材料形成物理基础 | 第25-26页 |
| 2.1.2 异质结中的极化效应介绍 | 第26-28页 |
| 2.2 GaN基异质结材料的生产与表征 | 第28-33页 |
| 2.2.1 材料的生长制备 | 第28-29页 |
| 2.2.2 Hall效应测试 | 第29-30页 |
| 2.2.3 C-V测试 | 第30页 |
| 2.2.4 XRD测试 | 第30-31页 |
| 2.2.5 AFM测试 | 第31-33页 |
| 第三章 AlGaN沟道异质结材料生长优化 | 第33-47页 |
| 3.1 沟道Al组分为 18%的AlGaN沟道异质结材料生长优化 | 第33-40页 |
| 3.1.1 18%铝组分的AlGaN沟道异质结材料生长 | 第33-35页 |
| 3.1.2 样片A、B、C表面形貌及结晶质量对比 | 第35-38页 |
| 3.1.3 样片A、B、C的电学特性对比 | 第38-40页 |
| 3.2 沟道Al组分为 33%的AlGaN沟道异质结材料生长优化 | 第40-45页 |
| 3.2.1 33%铝组分的AlGaN沟道异质结材料生长 | 第40-41页 |
| 3.2.2 样片D、E的表面形貌及结晶质量对比 | 第41-43页 |
| 3.2.3 样片D和样片E的电学特性比较 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 超晶格AlGaN沟道异质结材料生长优化 | 第47-59页 |
| 4.1 GaN/AlN超晶格材料的简介 | 第47-49页 |
| 4.1.1 超晶格简介 | 第47-48页 |
| 4.1.2 超晶格的制备 | 第48-49页 |
| 4.2 沟道Al组分为 33%的超晶格AlGaN沟道异质结 | 第49-52页 |
| 4.2.1 沟道Al组分为 33%的超晶格AlGaN沟道异质结的生长制备 | 第49页 |
| 4.2.2 样片E和样片F的表面形貌和结晶质量 | 第49-52页 |
| 4.2.3 样片E和样片F的电学特性比对 | 第52页 |
| 4.3 沟道Al组分为 18%的超晶格AlGaN沟道异质结 | 第52-58页 |
| 4.3.1 直接生长的 18%组分的超晶格AlGaN沟道异质结的生长制备 | 第52-53页 |
| 4.3.2 样片A和样片G的表面形貌和结晶质量分析 | 第53-55页 |
| 4.3.3 样片A和样片G的电学特性对比 | 第55-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结束语 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |
